K6R4004V1D
写周期*
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
写入到输出低-Z结束
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
K6R4004V1D-08
初步
CMOS SRAM
K6R4004V1D-10
民
8
6
0
6
6
8
0
0
4
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
民
10
7
0
7
7
10
0
0
5
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围。
时序图
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
上一页有效数据
t
AA
有效数据
读周期时序波形（ 2 ）
（WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
CO
t
HZ(3,4,5)
CS
t
OHZ
OE
t
OLZ
数据输出
I
CC
I
SB
注（ READ
循环）
1.我们是高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3. t
HZ
和T
OHZ
被定义为在所述输出达到开路状态而没有被引用到V的时间
OH
或V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
（最大）小于吨
LZ
（分钟）都对于给定的设备和从设备到
装置。
5.转换测量
±200mV
从稳态电压与负载（B ） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.设备，不间断地与CS = V选择
IL 。
7.地址有效之前，暗合了CS变为低电平。
8.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
高-Z
t
OE
t
DH
有效数据
t
PD
50%
50%
t
LZ(4,5)
t
PU
V
CC
当前
-6-
修订版2.0
2004年7月
