LT1769
应用信息
较低的电压差
甚至更低的压差和/或降低对电路板的散热，
输入二极管D3可以与一个场效应管来代替（见图
11）。连接的P沟道场效应晶体管代替输入二极管的
其栅极连接到该电池从而导致FET来
关闭时的输入电压变低。问题是
该门必须被泵送低，使得场效应管是完全
导通，即使在输入仅为伏或两个以上
电池电压。另外还有一个关断速度问题。
场效应管应关闭瞬间，当输入死
短路，以避免从电池大电流浪涌
回通过充电器注入FET 。栅极电容
减慢关断，所以小P沟道（Q 2 ）加入到
中的一个的情况下进行快速放电的栅极电容
输入短。 Q2的体二极管产生的必要
抽动作，以保持一季度的低门在正常
操作。需要注意的是Q1和Q2具有V
GS
的规格限制
20V 。这限制了V
IN
到最大为20V 。对于低
与V降操作
IN
> 20V咨询厂家。
可选二极管连接
在图1中的典型应用示出了单个二极管
（ D3），以分离在V
CC
销从适配器输入端和
阻止反向输入电压（包括稳态和转录
过性） 。这个简单的连接可能是不可接受的
其中系统负载必须从供电的情况
当适配器输入电源被移除的电池。如
在图12中所示，存在来自SW的寄生二极管
引脚连接到V
CC
销的LT1769 。当输入功率为
去掉，这个二极管将成为正向偏置，将
提供从电池向系统负载的电流路径。
因为二极管功率的限制，这是不推荐
谁料到系统负载通过内部电源
寄生二极管。为了安全地从电源的系统负载
电池中，一个额外的肖特基二极管（D4）是必要的。为
最小的损失，D4可以由低R取代
DS （ ON）
被接通时，在适配器电源MOSFET的
删除。
布局的注意事项
开关上升和下降时间为10ns下最大
效率。为了尽量减少辐射，续流二极管， SW引脚
和输入旁路电容器引线应尽可能短
成为可能。地平面应在使用
开关电路，以防止面间的耦合，并
用作热扩散路径。所有接地引脚应
连接扩展痕迹低热阻。
快速切换大电流接地通路，包括
开关，续流二极管和输入电容，应保持
很短。续流二极管和输入电容应
靠近芯片和终止于相同点。这
路径中包含纳秒的上升时间和下降时间与几个
电流安培。其它路径只包含直流和/或
200kHz的三波并不太重要。图13显示
的高速，大电流开关的路径。图14
显示关键路径的布局。联系凌力尔特公司的
该LT1769电路的PCB布局或格柏文件。
R7
500
电
LT1769
CLn的
SW
V
CC
D3
适配器
IN
R
S4
TO
系统
负载
D4
高
频率
循环
路径
开关节点
L1
V
BAT
+
C1
1F
L1
国内
寄生
二极管
R
S1
+
C
IN
+
1769 F12a
1769 F13
图12.修改二极管连接
提供的信息由凌力尔特公司被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担供其使用。凌力尔特公司不作任何代表中
塔季翁，其如本文所描述的电路的互连不会对现有的专利权侵犯。
U
W
U
U
V
IN
C
IN
D1
C
OUT
BAT
图13.高速交换路径
15
