LTC690/LTC691
LTC694/LTC695
APPLICATI
S I FOR ATIO
外部PNP晶体管（图2） 。如果需要更高的电流
需要与LTC690和LTC694 ，高电流
肖特基二极管可从V被连接
CC
引脚到
V
OUT
针以提供额外的电流。
任何PNP功率晶体管
5
5V
0.1F
1
3V
3
BATT ON
2
V
OUT
V
CC
LTC691
LTC695
V
BATT
GND
4
690 F02
0.1F
图2.使用BATT ON驱动外部PNP晶体管
该LTC690家庭保护的安全区域运行
带短路限制。输出电流被限制在AP-
近因200毫安。如果设备超负荷长时间
一段时间内，热关断接通电源开关
关闭，直到设备冷却下来。该门限温度
TURE热关断约为155 ℃，
滞后约10℃以防止该装置从
振荡和退出关断。
在竞争激烈的设备中使用的PNP开关不
选择了内部电源开关，因为它注入
不需要的电流流入基板。该电流是协作
通过V lected
BATT
脚在竞争器件，并增加了
所述电池的充电电流可能损坏
锂电池。该LTC690系列采用泵送收费
NMOS功率开关，以消除不必要的充电
目前同时实现低压差和低电源电流
租。因为没有电流进入到基底上，在当前
用V收集
BATT
脚是严格结漏电流。
一个125Ω PMOS开关连接在V
BATT
输入到V
OUT
in
电池后备模式。所述开关被设计为非常低的
压差电压（输入至输出电压差） 。此功能
是有利的，对于低电流的应用，如
备用电池的CMOS RAM和其他低功耗CMOS
电路。在电池备份模式下的供电电流为
1μA最大。
在V工作电压
BATT
销范围从2.0V到
4.25V 。大容量的电容，如电解或farad-
U
大小双电层电容器，可用于短期
存储器后备电池来代替。充电电阻
TOR两种电容器和充电电池应
连接到V
OUT
因为这消除了放电
存在时，所述电阻器连接到V的路径
CC
（图3） 。
I=
V
OUT
– V
BATT
R
R
5V
0.1F
V
CC
V
OUT
0.1F
LTC690
LTC691
LTC694
LTC695
3V
V
BATT
GND
690 F03
W
U
UO
图3.外置充电电池通过V
OUT
更换后备电池
当改变后备电池与系统电源
上，而电池取出虚假复位可以发生
由于电池的待机电流。虽然电池待机
当前只有一个微小的漏电流，它仍然可以充电
在V的杂散电容
BATT
引脚。振荡
周期如下：当V
BATT
内达到50mV的
V
CC
时， LTC690切换到备用电池。 V
OUT
拉
V
BATT
低并且设备返回到正常操作状态。
漏电流那么收费了V
BATT
脚再次
并重复该循环。
如果在更换电池虚假复位不成
问题，那么无需任何操作。否则，电阻器
从V
BATT
到GND将持有的引脚为低电平时改变
电池。例如，电池备用电流为1μA
最高温度和外部电阻
持有V要求
BATT
低于V
CC
是：
V - 50mV的
R
≤
CC
1
A
随着V
CC
= 4.5V ，一个4.3M电阻会工作。用3V
电池，该电阻将借鉴只0.7μA从电池，
这是可以忽略的，在大多数情况下。
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