LTC690/LTC691
LTC694/LTC695
APPLICATI
S I FOR ATIO
如果电池的连接是通过长导线制成，一个10Ω
到100Ω串联电阻和一个0.1μF的电容是recom-
谁料，防止超过V过冲
CC
由于该
引线电感（图4） 。
10
V
BATT
4.3M
0.1F
LTC690
LTC691
LTC694
LTC695
GND
690 F04
图4. 10Ω / 0.1μF的组合消除感应
过冲和防止意外复位时电池
更换
表1示出了各针的过程中的电池后备的状态。
当不使用电池切换部，连接
V
BATT
到GND和V
OUT
到V
CC
.
存储器保护
该LTC691和LTC695包括内存保护
电路，以确保在存储器中的数据的完整性
防止写操作时， V
CC
是无效的水平。
两个额外的引脚， CE IN和OUT CE ，控制芯片
启用或写入CMOS RAM的投入。当V
CC
为5V ，CE
OUT如下行政长官进行的典型传播延迟
为20ns 。当V
CC
低于复位电压阈值或
V
BATT
， CE输出被强制为高，独立于行政长官进行。 CE
V
CC
CE IN
CE OUT
V
OUT
= V
BATT
图5.时序图CE IN和OUT CE
10
U
OUT为一个替代信号来驱动的CE ，CS或收件
的电池备份CMOS RAM的输入。 CE OUT也可以
用于驱动所述存储或写入的EEPROM的输入，
EAROM或NOVRAM实现类似的保护。身材
图5示出的CE中和CE输出的时序图。
在CE可以从微处理器的地址导出
解码输出。图6示出一个典型的非易失性
CMOS RAM中的应用程序。
存储器保护，也可以用LTC690实现
和LTC694通过使用复位，如图7 。
表1.输入和输出状态在电池备份模式
信号
V
CC
V
OUT
V
BATT
BATT ON
PFI
PFO
RESET
RESET
WDI
WDO
CE IN
CE OUT
OSC IN
OSC SEL
状态
C2监视V
CC
主动切换。
V
OUT
连接到V
BATT
通过内部PMOS开关。
电源电流为1μA最大。
逻辑高电平。开路输出电压等于V
OUT
.
电源故障输入被忽略。
逻辑低
逻辑低
逻辑高电平。开路输出电压等于V
OUT
.
看门狗输入被忽略。
逻辑高电平。开路输出电压等于V
OUT
.
芯片使能输入被忽略。
逻辑高电平。开路输出电压等于V
OUT
.
OSC IN被忽略。
OSC SEL被忽略。
低线逻辑低
V2
V1
V1 =复位阈值电压
V2 =复位阈值电压+
复位门限迟滞
V
OUT
= V
BATT
690 F05
W
U
UO
