M48Z35 ， M48Z35Y
表10.写模式AC特性
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V ）
M48Z35 / M48Z35Y
符号
参数
民
t
AVAV
t
AVWL
t
AVEL
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
DVWH
t
DVEH
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ （1， 2）
t
AVWH
t
AVEH
t
WHQX （1， 2）
写周期时间
地址有效到写使能低
地址有效到芯片使能低
写使能脉冲宽度
芯片使能低到芯片使能高
写使能高到地址转换
芯片使能高到地址转换
输入有效到写使能高
输入有效到芯片使能高
写使能高到输入转换
芯片使能高到输入转换
写使能低到输出高阻
地址有效到写使能高
地址有效到芯片使能高
写使能高到输出转换
60
60
5
70
0
0
50
55
0
0
30
30
5
5
25
-70
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注： 1。
L
= 5pF的（参见图4） 。
2.如果E同时变为低电平用W变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
数据保持方式
凭有效V
CC
应用时， M48Z35 / 35Y工作
作为一个传统的单字节宽静态RAM 。
如果电源电压衰减时， RAM将非盟
tomatically电源故障取消，写保护它 -
自当V
CC
属于内伏
PFD
（最大） ，
V
PFD
（分钟）窗口。所有输出变为高im-
pedance ，并且所有的输入都被视为"don't care."
注意：
在写周期，电源故障可能cor-
在中断当前数据处理的位置，但
不危及RAM的其余内容。
在低于V的电压
PFD
（分钟）中，用户可以AS-
受益匪浅。内存将是在写保护状态，
所提供的V
CC
下降时间不大于吨以下
F
。该
M48Z35 / 35Y可瞬时噪声回应
在V尖峰
CC
该伸入取消选择窗口
在当时的设备采样V
CC
。 There-
脱颖而出，电源线的去耦是消遣
ommended 。
当V
CC
低于V
SO
中，控制电路
开关电源内部的电池，预
供应数据。内扣式电池将保持
对于累计围在M48Z35 / 35Y数据
的至少10年的外径（在25℃ ），当V
CC
少
比V
SO
.
由于系统电源恢复和V
CC
上述上升
V
SO
时，电池被断开，并且电源
供给被切换到外部V
CC
。写保护
化继续，直到V
CC
达到V
PFD
（分钟）加
t
REC
（分钟）。正常RAM操作就可以恢复
t
REC
经过V
CC
超过V
PFD
（最大值）。
有关电池的贮存寿命的更多信息请参考
应用笔记AN1012 。
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