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M48Z35 ， M48Z35Y
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
设备
下
TEST
645
图4.交流测试负载电路
注意，输出高阻被定义为点数据不再
驱动。
该SOIC和电池包运sep-
另行购买塑料防静电管或带卷&
形式。
对于28引脚SOIC封装，电池包（即
SNAPHAT ）零件号为"M4Z28 - BR00SH1" 。
该M48Z35 / 35Y也有自己的电源DE-失败
TECT电路。控制电路不断MONI-
器的单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护的SRAM ，从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
约低于3V时，控制电路CON-
nects这样可保持数据有效，直到电池
恢复供电。
读取模式
该M48Z35 / 35Y是在读取模式时
W（写使能）高， E（芯片使能）为低。
该器件的架构允许纹波通过AC-
从8 264144中的位置过程数据的
静态存储阵列。因此，唯一的地址
由15地址输入指定定义了
的32,768个字节的数据中的一个将被访问。
有效的数据将在数据I / O引脚
地址访问时间内（T
AVQV
）后的最后一个
地址输入信号是稳定的，所提供的电子
和G存取时间也满意。如果E和
g接入时间得不到满足，有效的数据将
的芯片使能访问后后可用
时间（t
ELQV
）或输出启用访问时间
(t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
用E和G的控制。如果输出是activat-
CL = 100pF的或
5pF
1.75V
CL INCLUDES夹具电容
AI03211
编前吨
AVQV
中，数据线将被驱动至
不确定的状态，直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变，而E和G保持活跃，
输出数据的有效期为输出数据保持
时间（t
AXQX
），但走不定，直到下一
地址访问。
写模式
该M48Z35 / 35Y是在写模式时
W和E为低。写的开始被引用
从W或E. A中后期出现的下降沿
写为W的早期上升沿终止
或E的地址必须在整个召开有效
该循环。 或W必须返回高最少
的t
EHAX
从芯片使能或T
WHAX
从写入恩
能之前的另一个开始读或写
周期。输入数据必须是有效的吨
DVWH
之前结束
的编写和保持有效吨
WHDX
之后。
应高保持在写周期，以避免
总线争用;虽然，如果输出总线具有
对E和G ，低W上被激活，由低
将禁止输出吨
WLQZ
后W跌倒。
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