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M48Z08 ， M48Z18
电池贮存寿命
存储寿命，主要是温度的函数。
图9示出的近似的贮存寿命
在M48Z08 / 18电池温度过高。在重
在图9中sults从温度衍生
加速寿命试验的研究在执行SGS-
THOMSON 。用于测试的目的，一个小区
故障被定义为小区的无能稳定
在25℃下，以产生2.4V的闭路电压
跨越250 kΩ的负载电阻。两行，叔
1%
和T
50%
，代表不同的故障率分布
系统蒸发散为单元的存储寿命。在70℃下，例如
经t
1%
行表示一个M48Z08 / 18具有1％的
有一个电池故障28年进入其机会
人生而T
50%
显示部分具有50％的机会
在50年大关失败。经t
1%
行表象
货物内的实际发病穿出来，并且可以是
考虑到最坏的情况下贮藏寿命的电池。
经t
50%
可以被认为是正常或平均
生活。
计算存储寿命
下列公式可用于预测stor-
时代的生活：
1
{[(TA1/TT)/SL1]+[(TA2/TT)/SL2]+...+[(TAN/TT)/SLN]}
参考系统寿命
每个M48Z08 / 18标有九位数的制造
在H99XXYYZZ的形式facturing日期代码。为
例如， H995B9431是：
H =制造在Carrollton ， TX
9 =组装在麻坡，马来西亚，
9 =在麻坡，马来西亚测试，
5B =很多标志，
9431 =组装在今年1994年，每周工作31 。
电源去耦和理解
SHOOT保护
I
CC
瞬变，包括生产的产量
开关，可产生电压波动， result-
荷兰国际集团在对V峰值
CC
总线。这些瞬变
如果电容器被用于存储能量被减小，
可以稳定在V
CC
总线。存储在能量
旁路电容将被释放的持续低
生成或能量将被吸收尖峰
当发生过冲。陶瓷旁路电容
0.1μF的符值（见图10）是
推荐以提供所需的滤波器 -
ING 。
除了瞬变是由正常引起的
SRAM运行，功率自行车可以产生
在V的负电压尖峰
CC
该驱动器其
低于V值
SS
通过多达一伏。这些
负尖峰可能会导致在数据损坏
SRAM而在电池备份模式。为了保护
从这些电压尖峰，这是特别建议给
连接从V肖特基二极管
CC
到V
SS
（阴极
连接到V
CC
，阳极V
SS
） 。肖特基二极管
1N5817推荐用于通孔和
MBRS120T3推荐用于表面贴装。
图10.电源电压保护
其中，
- TA1 ， TA2 ， TAN =时间在室温下
1，2，等等。
- TT =总时间= TA1 TA2 + + ... + TAN
- SL1 ， SL2 ， SLN =贮存寿命在温度1 ，
2，等等。
例如，一个M48Z08 / 18暴露于温
为55℃或更低peratures为8322小时/年，并
温度高于60 ℃，但小于70℃的
对于剩余的438小时/年。阅读预测吨
1%
从图9中的值，
- SL1
200年， SL2 = 28岁
- TT = 8760小时/年
- TA1 = 8322小时/年， TA2 = 438小时/年
预计贮存寿命
≥
1
{[(8322/8760)/200]+[(431/8760)/28]}
VCC
VCC
或者154年。
如可以被看到的，从这些计算的
结果，在M48Z08 / 18的预期寿命
超过大多数系统的要求。
估计系统寿命
因为无论是存储寿命和容量消耗
可以结束了电池的使用寿命，系统寿命标
由先出现。
0.1F
设备
VSS
AI02169
10/18
