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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2083页 > M48Z18-100MH1
M48Z08
M48Z18
64千位（8KB ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
集成超低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
没有写次数限制
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT和
写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z08 ： 4.50V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z18 ： 4.20V
≤
V
PFD
≤
4.50V
在CAPHAT独立电池
DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC
和SNAPHAT
TOP （需订购
另发）
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池
引脚和功能兼容的
DS1225和JEDEC标准8K ×8
静态存储器
描述
该M48Z08 / 18 ZEROPOWER
RAM是8K X
8非易失性静态RAM是引脚和功能
tional与DS1225兼容。单片
芯片有两个特殊的封装来提供可用
一个高度集成的电池备份存储器所谓
（分辨率）。
表1.信号名称
A0-A12
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
1999年3月
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
SNAPHAT （ SH ）
电池
28
28
1
1
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
SOH28 （ MH ）
图1.逻辑图
VCC
13
A0-A12
M48Z08
M48Z18
8
DQ0-DQ7
W
E
G
VSS
写使能
电源电压
地
1/18
AI01022
M48Z08 ， M48Z18
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 SOIC引脚连接
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48Z08 22
M48Z18 21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI01183
VCC
W
NC
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
7
M48Z18 22
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI01023B
VCC
W
NC
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
警告：
NC =未连接。
警告：
NC =未连接。
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
I
O
P
D
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
OFF ）
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
输出电流
功耗
价值
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
20
1
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
W
注意事项：
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下的时间过长，则可能
影响可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3伏，而在电池备份模式下的引脚是不允许的。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
≤
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注意：
1， X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2/18
M48Z08 ， M48Z18
图3.框图
A0-A12
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
动力
8K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01394
描述
（续）
该M48Z08 / 18是一种非易失性销和功能
等同于任何JEDEC标准8K ×8的SRAM 。
它也可轻松放入很多ROM ，EPROM和
EEPROM的插座，提供的非挥发性
PROM中没有特别写任何要求
在写入次数或时间的限制
可以被执行。
28引脚600mil DIP CAPHAT 的房子
M48Z08 / 18硅具有长寿命锂锰扣式电池
在单个封装中。
28引脚330mil SOIC封装提供插座金
在两个镀金触点两端直接连接
向含有一个单独的SNAPHAT壳体
电池。独特的设计使SNAPHAT
被安装在所述的SOIC的顶部电池包
包装完成表面贴装后
流程。后插入SNAPHAT住房
回流防止潜在的电池损坏，由于
需要高温设备surface-
安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预
发泄反向插入。
该SOIC和电池包运另行
得非常好塑料防静电管或带卷&
形式。
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0至3V
1.5V
注意，输出高阻被定义为点数据是无
再驱动。
图4.交流测试负载电路
5V
1.8k
设备
下
TEST
1k
OUT
CL = 100pF的或30pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01398
3/18
M48Z08 ， M48Z18
表5.电容
(1, 2)
(T
A
= 25
°C)
符号
C
IN
C
IO （3）
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.有效电容用在5V电源测量。
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.取消选择输出
表6.直流特性
(T
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.75V至5.5V或4.5V至5.5V ）
符号
I
李（1）
I
LO （ 1 ）
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
白细胞介素（2）
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
– 0.2V
–0.3
2.2
民
最大
±1
±5
80
3
3
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注意事项：
1.输出取消选择。
-1V 2.负尖峰允许最多为10ns一次每个周期。
表7.掉电/上触发点DC特性
(1)
(T
A
= 0 70℃ ）
符号
V
PFD
V
PFD
V
SO
t
DR
参数
电源故障取消电压（ M48Z08 ）
电源故障取消电压（ M48Z18 ）
备用电池切换电压
预计数据保存时间
11
民
4.5
4.2
典型值
4.6
4.3
3.0
最大
4.75
4.5
单位
V
V
V
岁月
注意：
1.所有电压参考V
SS
.
描述
（续）
对于28引脚SOIC封装，电池包（即
SNAPHAT ）零件号为"M4Z28 - BR00SH1" 。
该M48Z08 / 18也有自己的电源故障检测
电路。控制电路持续监控
单5V电源是否超出公差情况。
当V
CC
是出公差，电路写
保护的SRAM ，提供数据的一个高度
安全不可预测的系统之中OP-
关合作由低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布下方
约3V，所述控制电路连接的
电池，数据保持有效，直到重新供电
转弯。
4/18
M48Z08 ， M48Z18
表8.掉电/模式AC特性
(T
A
= 0 70℃ ）
符号
t
PD
t
F (1)
t
FB （ 2 ）
t
R
t
RB
t
REC
参数
在V ê或W
IH
掉电前
V
PFD
（MAX）到V
PFD
（最小值）V
CC
下降时间
V
PFD
（分钟）至V
SO
V
CC
下降时间
V
PFD
（分钟）至V
PFD
（最大值）V
CC
上升时间
V
SO
到V
PFD
（最小值）V
CC
上升时间
在V ê或W
IH
电后
民
0
300
10
0
1
1
最大
单位
s
s
s
s
s
ms
注意事项：
1. V
PFD
（MAX）到V
PFD
（分）落入小于T的时间
F
可能导致取消选择/写保护没有发生，直到200
s
后
V
CC
通过V
PFD
（最小值） 。
2. V
PFD
（分钟）至V
SO
属于小于T的时间
FB
可能会导致内存中的数据损坏。
图5.掉电/模式AC波形
VCC
VPFD （最大）
VPFD （分钟）
VSO
tF
tPD的
输入
认可
TDR
TFB
TRB
不关心
tR
TREC
记
认可
高-Z
输出
有效
（每个控制输入）
有效
（每个控制输入）
AI00606
注意：
输入可能会或可能不会在此时识别。需注意保持é高达V
CC
上升超过V
PFD
（分钟）。有些系统
可以执行V后无意写周期
CC
上升超过V
PFD
（分钟），但正常的系统操作开始之前。即使在电源
复位时被施加到处理器，复位条件也可以不发生，直到系统时钟运行之后。
5/18
M48T08
M48T08Y ， M48T18
5V ， 64千位（ 8 KB ×8 ） TIMEKEEPER
SRAM
功能摘要
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
集成超低功耗SRAM ，
实时时钟，掉电
控制电路和电池
单字节宽 RAM一样随时访问
BCD码年份，月份，星期，日期，
小时，分钟和秒
±1典型的时钟精度
MINUTE一个月，在25℃下
自动电源失效芯片
DESELECT和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48T08 ： V
CC
= 4.75 5.5V
4.5V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48T18 / T08Y ： V
CC
= 4.5 5.5V
4.2V
≤
V
PFD
≤
4.5V
软件控制的时钟
校准高精度
应用
独立电池和
晶体中的CAPHAT DIP
包
包装包括一个28引脚SOIC
和SNAPHAT
TOP （需订购
另发）
SOIC封装提供直接
Connection中为SNAPHAT TOP
它包含电池和
水晶
引脚和功能兼容
DS1643和JEDEC标准8K ×8
静态存储器
符合RoHS标准
无铅组件均符合
RoHS指令。
图1. 28引脚PCDIP ， CAPHAT 封装
28
1
PCDIP28 （PC）的
电池/水晶
CAPHAT
图2. 28引脚SOIC封装
SNAPHAT （ SH ）
电池/水晶
28
1
SOH28 （ MH ）
REV 7.0
2005年12月
1/27
M48T08 ， M48T08Y ， M48T18
目录
功能摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
图1. 28引脚PCDIP ， CAPHAT 封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
图2. 28引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
网络连接gure 3 。
表1中。
图4中。
图5中。
图6 。
逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
DIP连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
SOIC连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
.......
.......
.......
.......
.......
......
......
......
......
......
.......
.......
.......
.......
.......
......
......
......
......
......
......
......
......
......
......
.....4
.....4
.....5
.....5
.....5
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
表2.操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
读取模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
图7.读模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
表3.读模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
图8.写使能控制的，写AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
图9.芯片使能控制的，写AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表4.写模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
数据保留模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
电源失效中断引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
时钟操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
读时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
设置时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
表5.寄存器映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
停止和启动的振荡器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
校准时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
图10.Crystal精度在整个温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
图11.Clock校准。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
V
CC
噪音和负瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
图12.Supply电压保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
表6.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
表7.操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
图13.AC测试负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
表8.电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
表9.直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
图14.Power向下/向上模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
......
......
......
......
......
. . . . 18
. . . . 18
. . . . 18
. . . . 19
. . . . 20
2/27
M48T08 ， M48T08Y ， M48T18
表10.掉电/上交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
表11.掉电/上触发点DC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
包装机械信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
图15.PCDIP28 - 28引脚塑料DIP ，电池CAPHAT ，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
表12. PCDIP28 - 28引脚塑料DIP ，电池CAPHAT ，包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
图16.SOH28 - 28引脚塑料小外形， 4插槽电池SNAPHAT ，封装外形。 22
表13. SOH28 - 28引脚塑料SO ， 4插槽电池SNAPHAT ，包装机甲。数据。 。 。 。 。 22
图17.SH - 4针SNAPHAT房屋为48mAh电池&水晶，包装外形。 。 。 。 。 。 。 23
表14. SH - 4针SNAPHAT房屋为48mAh电池&水晶，包装机甲。数据。 。 。 。 23
图18.SH - 4针SNAPHAT住房的120mAh电池即可&水晶，包装外形。 。 。 。 。 。 24
表15. SH - 4针SNAPHAT住房的120mAh电池即可&水晶，包装机甲。数据。 。 。 24
零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
表16.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
表17. SNAPHAT电池表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
表18.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
3/27
M48T08 ， M48T08Y ， M48T18
概要说明
该M48T08 / 18 / 08Y TIMEKEEPER
RAM是一种
8K ×8的非易失静态RAM和实时时钟
这是引脚和功能与兼容
DS1643 。单片芯片是在两个可用
优惠套装提供了高度集成的
电池备份存储器和实时时钟所谓
（分辨率）。
该M48T08 / 18 / 08Y是一个非易失性销和功能
等同于任何JEDEC标准8K ×8和灰
SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，
和EEPROM插座，提供所述非挥发性
PROM中没有特殊的任何规定，
对数写入时序或限制
写入可被执行。
28引脚， 600mil DIP CAPHAT 的房子
M48T08 / 18 / 08Y硅与石英晶体和
长寿命锂扣式电池在单个封装中。
28引脚， 330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT
住房CON-
泰宁电池和晶体。独特的设计
允许SNAPHAT电池包要
安装在SOIC封装的后上方
在表面完成安装过程。插入不正
化的SNAPHAT住房后，再流焊前
通风口潜在的电池和晶体造成的损害
所需的高温对设备surface-
安装。该SNAPHAT住房被锁定式设计，预
发泄反向插入。
该SOIC和电池/水晶包
分别在塑料防静电管或运
磁带&卷轴形式。对于28引脚SOIC封装，电池盒盖
tery /水晶包（例如， SNAPHAT ）部件号
误码率是“ M4T28 - BR12SH ”或“ M4T32 - BR12SH ”
（见
表17 ，第25页） 。
表1.信号名称
A0-A12
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出
电源故障中断（漏极开路）
芯片使能1
芯片使能2
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
图3.逻辑图
VCC
13
A0-A12
8
DQ0-DQ7
INT
E1
E2
W
E1
E2
M48T08
M48T08Y
M48T18
INT
G
W
V
CC
G
V
SS
VSS
AI01020
4/27
M48T08 ， M48T08Y ， M48T18
图4. DIP连接
INT
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
M48T08 22
8
M48T18 21
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
AI01182
图5. SOIC连接
VCC
W
E2
A8
A9
A11
G
A10
E1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
INT
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
28
1
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
M48T08Y
8
21
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
AI01021B
VCC
W
E2
A8
A9
A11
G
A10
E1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
图6.框图
振荡器和
时钟链
32,768赫兹
水晶
动力
8×8 BiPORT
SRAM阵列
A0-A12
8184 x 8
SRAM阵列
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
VPFD
DQ0-DQ7
E1
E2
W
G
VCC
INT
VSS
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