M48Z129Y ， M48Z129V
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
OFF ）
价值
0到70
-40到70
-10到70
260
-0.3到V
CC
+0.3
M48Z129Y
M48Z129V
-0.3 7.0
-0.3 4.6
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
T
BIAS
T
SLD （2）
V
IO
V
CC
在偏置温度
无铅焊锡温度为10秒
输入或输出电压
电源电压
注： 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响
可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。
图2A 。 DIP引脚连接
RST
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
32
1
31
2
30
3
29
4
28
5
27
6
26
7
8 M48Z129Y 25
9 M48Z129V 24
23
10
22
11
21
12
20
13
19
14
18
15
17
16
AI02310
VCC
A15
BL
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
128K ×8 SRAM 。它也提供了非挥发性
FLASH不为任何特殊的要求，
写时序或限制写入次数
可以进行的。
该M48Z129Y / V也有自己的电源失效DE-
TECT电路。该控制电路不断MONI-
器的电源电压是否超出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护SRAM ，提供数据安全
不可预测的系统运行之中。如
V
CC
跌倒时，控制电路自动开关
ES的电池，维护数据，直到有效的权力
被恢复。
读取模式
该M48Z129Y / V在读模式时
W（写使能）高， E（芯片使能）是
低。由17 AD-指定的唯一地址
礼服输入定义131,072的哪一个
数据的字节将被访问。有效数据将被
内吨可从数据I / O引脚
AVQV
（ AD-
最后一个地址后输入打扮访问时间）
信号稳定，提供E和G接入
时间还纳。如果E和G接入
时间得不到满足，有效数据将是可用的后
该芯片的后者允许访问时间（T
ELQV
)
或输出启用访问时间（t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
用E和G的控制。如果输出是activat-
编前吨
AVQV
中，数据线将被驱动至
不确定的状态，直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变，而E和G保持活跃，
输出数据的有效期为吨
AXQX
（ OUTPUT
数据保持时间），但会不确定，直到
下一个地址的访问。
描述
该M48Z129Y / V ZEROPOWER SRAM是一种
1,048,576位非易失性静态RAM组织为
131,072字由8位。该器件结合了
内置锂电池， CMOS SRAM和一个反面
控制电路在一个塑料32引脚DIP模块。该
M48Z129Y / V直接取代行业标准
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