M48Z129Y

M48Z129V

3.3V / 5V 1兆位（ 128KB ×8 ） ZEROPOWER

SRAM

s

集成超低功耗SRAM ，

掉电控制电路，以及

电池

自动电源失效芯片DESELECT

和写保护

微处理器上电复位

（ RESET VALID电池，即使在

备份模式）

BATTERY LOW PIN - 提供警告

电池END- OF- LIFE

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48Z129Y ： 4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V

- M48Z129V ： 2.7V

≤

V

PFD

≤

3.0V

传统的SRAM操作;

没有写次数限制

在10年的数据保留

电源缺位

引脚和功能兼容

JEDEC标准128KB ×8 SRAMS

自包含电池DIP

包

17

A0-A16

W

E

G

G

W

RST

BL

V

CC

V

SS

OUTPUT ENABLE

写使能

复位输出（开漏）

电池电量低输出（开

漏）

电源电压

地

32

1

s

s

s

s

PMDIP32 （PM）的

模块

s

图1.逻辑图

s

s

s

VCC

8

DQ0-DQ7

M48Z129Y

M48Z129V

RST

BL

表1.信号名称

A0-A16

DQ0-DQ7

E

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

VSS

AI02309

2000年6月

1/13

M48Z129Y ， M48Z129V

表2.绝对最大额定值

(1)

符号

T

A

T

英镑

参数

工作环境温度

存储温度（V

CC

OFF ）

价值

0到70

-40到70

-10到70

260

-0.3到V

CC

+0.3

M48Z129Y

M48Z129V

-0.3 7.0

-0.3 4.6

单位

°C

°C

°C

°C

V

V

T

BIAS

T

SLD （2）

V

IO

V

CC

在偏置温度

无铅焊锡温度为10秒

输入或输出电压

电源电压

注： 1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个应力

只有与设备，在这些或以上的任何其他条件，在操作章节中所示的功能操作评级

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，延长的时期可能影响

可靠性。

2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。

注意事项：

负下冲低于-0.3V不允许任何引脚，而在电池备份模式。

图2A 。 DIP引脚连接

RST

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

32

1

31

2

30

3

29

4

28

5

27

6

26

7

8 M48Z129Y 25

9 M48Z129V 24

23

10

22

11

21

12

20

13

19

14

18

15

17

16

AI02310

VCC

A15

BL

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

128K ×8 SRAM 。它也提供了非挥发性

FLASH不为任何特殊的要求，

写时序或限制写入次数

可以进行的。

该M48Z129Y / V也有自己的电源失效DE-

TECT电路。该控制电路不断MONI-

器的电源电压是否超出公差

条件。当V

CC

是出公差，电路

写保护SRAM ，提供数据安全

不可预测的系统运行之中。如

V

CC

跌倒时，控制电路自动开关

ES的电池，维护数据，直到有效的权力

被恢复。

读取模式

该M48Z129Y / V在读模式时

W（写使能）高， E（芯片使能）是

低。由17 AD-指定的唯一地址

礼服输入定义131,072的哪一个

数据的字节将被访问。有效数据将被

内吨可从数据I / O引脚

AVQV

（ AD-

最后一个地址后输入打扮访问时间）

信号稳定，提供E和G接入

时间还纳。如果E和G接入

时间得不到满足，有效数据将是可用的后

该芯片的后者允许访问时间（T

ELQV

)

或输出启用访问时间（t

GLQV

).

八三态数据I / O信号的状态

用E和G的控制。如果输出是activat-

编前吨

AVQV

中，数据线将被驱动至

不确定的状态，直到吨

AVQV

。如果该地址在 -

看跌期权被改变，而E和G保持活跃，

输出数据的有效期为吨

AXQX

（ OUTPUT

数据保持时间），但会不确定，直到

下一个地址的访问。

描述

该M48Z129Y / V ZEROPOWER SRAM是一种

1,048,576位非易失性静态RAM组织为

131,072字由8位。该器件结合了

内置锂电池， CMOS SRAM和一个反面

控制电路在一个塑料32引脚DIP模块。该

M48Z129Y / V直接取代行业标准

2/13

M48Z129Y ， M48Z129V

表3.操作模式

(1)

模式

DESELECT

写

读

读

DESELECT

DESELECT

V

CC

4.5V至5.5V

(M48Z129Y)

or

3.0V至3.6V

(M48Z129V)

V

SO

到V

PFD

（分钟）

(2)

≤

V

SO（2）

E

V

IH

V

IL

V

IL

V

IL

X

X

G

X

X

V

IL

V

IH

X

X

W

X

V

IL

V

IH

V

IH

X

X

DQ0-DQ7

高Z

D

IN

D

OUT

高Z

高Z

高Z

动力

待机

活跃

活跃

活跃

CMOS待机

电池备份模式

注：1，X = V

IH

或V

IL

; V

SO

=电池备份切换电压。

2.请参阅表7的详细信息。

图3.框图

VCC

A0-A16

动力

E

电压检测

和

开关

电路

131,072 x 8

SRAM阵列

DQ0-DQ7

E

W

G

国内

电池

RST

BL

VSS

AI03608

写模式

该M48Z129Y / V在写模式时

W（写使能）和E （片选）被激活。

写的开始，从后者OC-引用

curring的W或E.写下降沿端端接

按W或E的早期上升沿编

地址必须在整个周期中保持有效。

或W必须返回高最少的t

EHAX

从芯片使能或T

WHAX

从写使能之前

到的其它读或写周期的开始。

输入数据必须是有效的吨

DVWH

前的端

编写和保持有效吨

WHDX

之后。

应高保持在写周期，以避免

总线争用;虽然，如果输出总线具有

通过了低通E和G的低W上被激活

将禁止输出吨

WLQZ

后W跌倒。

数据保持方式

凭有效V

CC

应用时， M48Z129Y / V操作

作为一个传统的单字节宽，静态RAM。应

电源电压的衰减，该RAM将automati-

取消美云，写保护自己当V

CC

V介于

PFD

（最大值） ，V

PFD

（分钟）窗口。所有

输出变成高阻抗，所有输入都是

被视为“不关心” 。

3/13

M48Z129Y ， M48Z129V

表4. AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

≤

5ns

0至3V

1.5V

设备

下

TEST

650

图4.交流测试负载电路

注意，输出高阻被定义为点数据不再

驱动。

注意：

在写周期，电源故障可能

在当前的损坏的数据寻址的位置，但

不危及RAM的其余内容。

在低于V的电压

PFD

（分钟） ，内存会

在写保护状态，所提供的V

CC

秋天

时间不大于吨以下

F

。该M48Z129Y / V可以重新

有反应就V瞬态噪声尖峰

CC

交叉

成过程中的时间DE-取消选定窗口

副是抽样V

CC

。 。因此，脱钩

电源线被推荐。

当V

CC

低于V

SO

中，控制电路

开关电源的内置电池，保护

数据。内部能量源将保持

对于累积围在M48Z129Y / V数据

外径的至少10年，在室温下进行。如

系统功率升至高于V

SO

，电池显示

连接，并在电源被切换到

外部V

CC

。取消持续吨

REC

后

V

CC

达到V

PFD

（最大值）。

有关电池的贮存寿命的更多信息请参考

应用笔记AN1012 。

上电复位输出

所有微处理器复位输入， forc-

开始时，他们上课到已知状态。该

M48Z129Y / V有一个复位输出（ RST ）引脚，

被保证是低低于V

PFD

（分钟）。这显

最终是一个开漏配置。适当的

上拉电阻的选择应以控制

上升时间。这个信号将适用于所有电压

即使当V的条件

CC

等于V

SS

。一旦V

CC

超过电源故障检测电压V

PFD

，一

内部定时器保持RST为低电平吨

REC

以允许

电源供应稳定。

BATTERY LOW PIN

该M48Z129Y / V自动进行电池

电压监视在上电时，并且在出厂

CL = 100pF的

或50pF的

(1)

1.75V

CL INCLUDES夹具电容

AI03630

注： 1。 50pF的用于M48Z129V （ 3.3V ） 。

编程的时间间隔为24小时。对电池进行

tery低（ BL）引脚将在电池电压断言

年龄被发现是小于约2.5V 。如果

在电源电路会产生一个电池电量低SE-

quence ，这表明该电池是低于2.5

伏，可能不能够维持数据的完整性

在SRAM中。数据应被视为犯罪嫌疑人，

并验证是正确的。

如果在产生电池电量低显示

24小时的时间间隔检查时，这表示对电池进行

tery接近生命的尽头。但是，数据是不能的COM

由于这一事实，承诺的标称V

CC

is

提供的。

该M48Z129Y / V只监视电池的时候

标称V

CC

被施加到该设备。因此AP-

应用，这需要在广泛的持续时间

电池备份模式应通电的围

颂歌般地（至少每几个月），以便

这种技术是有益的。此外，如果

电池低电压指示，数据的完整性应

通过校验和或其他电时验证

技术。在BL引脚是开漏输出，

一个适当的上拉电阻的选择应

来控制上升时间。

4/13

M48Z129Y ， M48Z129V

表5.电容

(1)

(T

A

= 25 ° C，F = 1兆赫）

符号

C

IN

C

IO （2）

参数

输入电容

输入/输出电容

测试条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

民

最大

10

10

单位

pF

pF

注意：在使用5V电源测量1.有效电容。

2.输出取消。

表6A 。直流特性

(T

A

= 0至70℃ ; V

CC

= 4.5V至5.5V ）

符号

I

李（1）

I

LO （ 1 ）

I

CC

I

CC1

I

CC2

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流

电源电流（待机） TTL

电源电流（待机） CMOS

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1mA

2.4

测试条件

0V

≤

V

IN

≤

V

CC

0V

≤

V

OUT

≤

V

CC

输出打开

E = V

IH

E = V

CC

– 0.2V

–0.3

2.2

民

最大

±1

±1

95

7

4

0.8

V

CC

+ 0.3

0.4

单位

A

A

mA

mA

mA

V

V

V

V

注：1，输出取消。

表6B 。直流特性

(T

A

= 0至70℃ ; V

CC

= 3.0V至3.6V ）

符号

I

李（1）

I

LO （ 1 ）

I

CC

I

CC1

I

CC2

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流

电源电流（待机） TTL

电源电流（待机） CMOS

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1mA

2.2

测试条件

0V

≤

V

IN

≤

V

CC

0V

≤

V

OUT

≤

V

CC

输出打开

E = V

IH

E = V

CC

– 0.2V

–0.3

2.2

民

最大

±1

±1

50

4

3

0.6

V

CC

+ 0.3

0.4

单位

A

A

mA

mA

mA

V

V

V

V

注：1，输出取消。

5/13

M48Z129Y

M48Z129V

5.0 V或3.3 V ， 1兆位（ 128 KB ×8 ） ZEROPOWER

SRAM

特点

■

■

■

■

■

■

■

集成，超低功耗SRAM ，掉电

控制电路和电池

传统的SRAM操作;无限

写周期

在没有数据保存10年的

动力

微处理器上电复位（复位有效

即使在电池备份模式）

电池电量低引脚 - 提供电池警告

END -OF- LIFE

自动电源失效芯片取消和WRITE

保护

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48Z129Y ： V

CC

= 4.5 5.5 V

4.2 V

≤

V

PFD

≤

4.5 V

（联系ST销售办事处的可用性）

- M48Z129V ： V

CC

= 3.0 3.6 V

2.7 V

≤

V

PFD

≤

3.0 V

在CAPHAT独立电池

DIP

包

引脚和功能与JEDEC兼容

标准的128千×8的SRAM

符合RoHS

- 无铅二级互连

32

1

PMDIP32模块（PM）的

■

■

■

2010年6月

文档编号5716版本7

1/20

www.st.com

1

目录

M48Z129Y ， M48Z129V

目录

1

2

说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

2.1

2.2

2.3

2.4

READ模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

数据保持方式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

V

CC

噪声和负向瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

3

4

5

6

7

8

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

DC和AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

部分编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

环境信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

2/20

文档编号5716版本7

M48Z129Y ， M48Z129V

表格清单

表格清单

表1中。

表2中。

表3中。

表4 。

表5 。

表6 。

表7中。

表8 。

表9 。

表10 。

表11 。

表12 。

表13 。

信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

阅读模式的交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

写模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

电力向下/向上AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

电力向下/向上跳变点的直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

PMDIP32 - 32引脚塑料DIP ，包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

订购信息方案。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

文档编号5716版本7

3/20

图列表

M48Z129Y ， M48Z129V

图列表

图1 。

图2中。

网络连接gure 3 。

图4中。

图5中。

图6 。

图7 。

网络连接gure 8 。

图9 。

网络连接gure 10 。

图11 。

图12 。

逻辑图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

DIP连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

地址控制， READ模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

芯片使能或输出使能控制， READ模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

写使能控制， WRITE模式交流波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

芯片使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

电源电压保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

AC测试负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

掉电/模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

PMDIP32 - 32引脚塑料DIP模块，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

回收符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

4/20

文档编号5716版本7

M48Z129Y ， M48Z129V

描述

1

描述

该M48Z129Y / V ZEROPOWER

SRAM是一种1,048,576位非易失性静态RAM

由8位， 131,072字。该器件结合了内置锂电池，

CMOS SRAM和一个控制电路，在一个塑料32针的DIP模块。该M48Z129Y / V直接

取代行业标准128千×8 SRAM 。它也提供了闪存的非易失性

不具备在写入次数特别写定时或限制任何要求

可以进行的。

图1 。

逻辑图

VCC

17

A0-A16

W

E

G

M48Z129Y

M48Z129V

8

DQ0-DQ7

RST

BL

VSS

AI02309

表1中。

信号名称

A0-A16

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

复位输出（开漏）

电池电量低输出（开漏）

电源电压

地

DQ0-DQ7

E

G

W

RST

BL

V

CC

V

SS

文档编号5716版本7

5/20

M48Z129Y*

M48Z129V

5.0V或3.3V ， 1兆位（ 128 KB ×8 ） ZEROPOWER

SRAM

功能摘要

■

■

■

■

■

■

■

■

■

集成，超低功耗SRAM ，

掉电控制电路，以及

电池

传统的SRAM操作;

没有写次数限制

在10年的数据保留

电源缺位

微处理器上电复位

（ RESET VALID电池，即使在

备份模式）

BATTERY LOW PIN - 提供警告

电池END- OF- LIFE

自动电源失效芯片

DESELECT和写保护

写保护电压不

(V

PFD

=电源故障取消电压） ：

- M48Z129Y ： V

CC

= 4.5 5.5V

4.2V

≤

V

PFD

≤

4.5V

- M48Z129V ： V

CC

= 3.0 3.6V

2.7V

≤

V

PFD

≤

3.0V

独立电池IN THE

CAPHAT DIP封装

引脚和功能兼容

JEDEC标准128K ×8的SRAM

图1. 32针PMDIP模块

32

1

PMDIP32 （PM）的

模块

*联系当地的ST销售办事处的可用性。

2005年3月

1/16

M48Z129Y * ， M48Z129V

目录

功能摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

图1. 32针PMDIP模块。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

图2中。

表1中。

网络连接gure 3 。

图4中。

逻辑图。 。

信号名称。 。

DIP连接

框图。 。

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...................

...................

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.......

.......

......

......

......

......

.......

.......

.......

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......

......

......

......

......

......

......

.....4

.....4

.....4

.....5

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

表2.操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

读取模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

图5.地址控制，读取模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

图6.芯片使能或输出使能控制，读取模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

表3.读模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

写模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

图7.写使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

图8.芯片使能控制的，写模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

表4.写模式AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

数据保留模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

V

CC

噪音和负瞬变。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

图9.电源电压保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表5.绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

直流和交流参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表6.操作和AC测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

图10.AC测试负载电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表7.电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表8.直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

图11.Power向下/向上模式AC波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

表9.掉电/上交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

表10 。

掉电/上触发点DC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

包装机械信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

图12.PMDIP32 - 32引脚塑料DIP模块，封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

表11. PMDIP32 - 32引脚塑料DIP ，包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

零件编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

表12.订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

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表13.文档修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

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M48Z129Y * ， M48Z129V

概要说明

该M48Z129Y / V ZEROPOWER

SRAM是一种

1,048,576位非易失性静态RAM组织为

131,072字由8位。该器件结合了

内置锂电池， CMOS SRAM和一个反面

控制电路在一个塑料的32引脚DIP模块。该

M48Z129Y / V直接取代行业标准

128K ×8 SRAM 。它也提供了非挥发性

FLASH不为任何特殊的要求，

对数写入时序或限制

写入可被执行。

图2.逻辑图

VCC

表1.信号名称

A0-A16

DQ0-DQ7

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

复位输出（开漏）

电池电量低输出（开漏）

电源电压

地

17

A0-A16

W

E

G

M48Z129Y

M48Z129V

8

DQ0-DQ7

E

G

RST

BL

W

RST

BL

V

CC

VSS

AI02309

V

SS

图3. DIP连接

RST

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

32

2

31

3

30

4

29

28

5

27

6

7

26

8 M48Z129Y 25

9 M48Z129V 24

10

23

11

22

12

21

13

20

14

19

15

18

16

17

AI02310

VCC

A15

BL

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

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M48Z129Y * ， M48Z129V

图4.框图

VCC

A0-A16

动力

E

电压检测

和

开关

电路

131,072 x 8

SRAM阵列

DQ0-DQ7

E

W

G

国内

电池

RST

BL

VSS

AI03608

操作模式

该M48Z129Y / V也有自己的电源失效DE-

TECT电路。该控制电路不断MONI-

器的电源电压是否超出公差

条件。当V

CC

是出公差，电路

写保护SRAM ，提供数据安全

表2.操作模式

模式

DESELECT

写

读

读

DESELECT

DESELECT

V

SO

到V

PFD

（分钟）

(1)

≤

V

SO(1)

4.5 5.5V

or

3.0to 3.6V

V

CC

E

V

IH

V

IL

V

IL

V

IL

X

X

G

X

X

V

IL

V

IH

X

X

W

X

V

IL

V

IH

V

IH

X

X

DQ0-DQ7

高Z

D

IN

D

OUT

高Z

高Z

高Z

动力

待机

活跃

活跃

活跃

CMOS待机

电池备份模式

不可预测的系统运行之中。如

V

CC

跌倒时，控制电路自动开关

ES的电池，维护数据，直到有效的权力

被恢复。

注：X = V

IH

或V

IL

; V

SO

=电池备份切换电压。

1.见

表10 ，第12页

了解详细信息。

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