PD - 93956
IRFZ44R
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
滴在更换IRFZ44的
线性/音频应用
描述
l
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 0.028
G
S
I
D
= 50*A
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固装置
设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效和可靠的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
工业应用中的功耗水平
大约50瓦。的低热阻和低
在TO- 220封装成本有助于其广泛接受
在整个工业。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
50*
36
200
150
1.0
±20
100
4.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
1.0
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
8/24/00
