PD - 93956
IRFZ44R
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
滴在更换IRFZ44的
线性/音频应用
描述
l
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 0.028
G
S
I
D
= 50*A
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固装置
设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效和可靠的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
工业应用中的功耗水平
大约50瓦。的低热阻和低
在TO- 220封装成本有助于其广泛接受
在整个工业。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
50*
36
200
150
1.0
±20
100
4.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
1.0
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
8/24/00
IRFZ44R
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
I
D
= 51A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFZ44R ， SiHFZ44R
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
67
18
25
单身
D
特点
60
0.028
先进的工艺技术
可用的
超低导通电阻
RoHS指令*
动态的dv / dt额定值
柔顺
175°C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
滴在更换IRFZ44 ， SiHFZ44的
线性/音频应用
符合RoHS指令2002/95 / EC
TO-220AB
描述
Vishay的先进的功率MOSFET采用先进的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220AB封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220AB低封装成本有助于其
整个行业的广泛认可。
G
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ44RPbF
SiHFZ44R-E3
IRFZ44R
SiHFZ44R
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流
e
V
GS
在10 V
T
C
= 100 °C
连续漏电流
a
漏电流脉冲
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
c
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
10秒
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
6-32或M3螺丝
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
50
36
200
1.0
100
150
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 44 μH ，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 51 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
51 A，的dV / dt
≤
250 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于包装， （死亡电流= 51 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91292
S11-0517 -REV 。 B， 21 -MAR- 11
www.vishay.com
1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFZ44R ， SiHFZ44R
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
=
±
20
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 31 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 31 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
15
-
0.060
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.028
-
V
V /°C的
V
nA
μA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1900
920
170
-
-
-
14
110
45
92
4.5
7.5
-
-
-
67
18
25
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 51 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 51 A,
R
g
= 9.1
Ω,
R
D
= 0.55
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
120
0.53
50
c
A
200
2.5
180
0.80
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 51 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 51 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。目前受限于封装（芯片电流= 51 A） 。
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2
文档编号： 91292
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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IRFZ44R ， SiHFZ44R
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
I
D
= 51A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（
°
C)
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
100us
1ms
10
10ms
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 175 °C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
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Vishay Siliconix公司
60
V
DS
R
D
不限按包
50
R
G
V
GS
D.U.T.
+
- V
DD
I
D
，漏电流（ A）
40
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
30
图。 10A - 开关时间测试电路
20
V
DS
90 %
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
10
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
67
18
25
单身
D
特点
60
0.028
先进的工艺技术
可用的
超低导通电阻
RoHS指令*
动态的dv / dt额定值
柔顺
175°C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
滴在更换IRFZ44 ， SiHFZ44的
线性/音频应用
符合RoHS指令2002/95 / EC
TO-220AB
描述
Vishay的先进的功率MOSFET采用先进的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220AB封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220AB低封装成本有助于其
整个行业的广泛认可。
G
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ44RPbF
SiHFZ44R-E3
IRFZ44R
SiHFZ44R
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流
e
V
GS
在10 V
T
C
= 100 °C
连续漏电流
a
漏电流脉冲
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
c
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
10秒
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
6-32或M3螺丝
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
50
36
200
1.0
100
150
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 44 μH ，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 51 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
51 A，的dV / dt
≤
250 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于包装， （死亡电流= 51 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91292
S11-0517 -REV 。 B， 21 -MAR- 11
www.vishay.com
1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFZ44R ， SiHFZ44R
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
=
±
20
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 31 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 31 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
15
-
0.060
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.028
-
V
V /°C的
V
nA
μA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1900
920
170
-
-
-
14
110
45
92
4.5
7.5
-
-
-
67
18
25
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 51 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 51 A,
R
g
= 9.1
Ω,
R
D
= 0.55
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
120
0.53
50
c
A
200
2.5
180
0.80
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 51 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 51 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。目前受限于封装（芯片电流= 51 A） 。
www.vishay.com
2
文档编号： 91292
S11-0517 -REV 。 B， 21 -MAR- 11
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFZ44R ， SiHFZ44R
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
I
D
= 51A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（
°
C)
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91292
S11-0517 -REV 。 B， 21 -MAR- 11
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3
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IRFZ44R ， SiHFZ44R
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
100us
1ms
10
10ms
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 175 °C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
文档编号： 91292
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IRFZ44R ， SiHFZ44R
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60
V
DS
R
D
不限按包
50
R
G
V
GS
D.U.T.
+
- V
DD
I
D
，漏电流（ A）
40
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
30
图。 10A - 开关时间测试电路
20
V
DS
90 %
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
10
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 91292
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IRFZ44R ， SiHFZ44R
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功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
67
18
25
单身
D
特点
60
0.028
先进的工艺技术
超低导通电阻
可用的
动态的dv / dt额定值
RoHS指令*
柔顺
175°C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
滴在更换IRFZ44 / SiHFZ44的
线性/音频应用
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
描述
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
Vishay的先进的功率MOSFET采用先进的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFZ44RPbF
SiHFZ44R-E3
IRFZ44R
SiHFZ44R
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流
e
V
GS
在10 V
T
C
= 100 °C
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
c
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
10秒
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
6-32或M3螺丝
符号
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
± 20
50
36
200
1.0
100
150
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 44 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 51 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
51 A，的dV / dt
≤
250 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于包装， （死亡电流= 51 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91292
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WORK -IN -PROGRESS
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IRFZ44R ， SiHFZ44R
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
=
±
20
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 31 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 31 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
15
-
0.060
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.028
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1900
920
170
-
-
-
14
110
45
92
4.5
7.5
-
-
-
67
18
25
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 51 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 51 A,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 0.55
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
120
0.53
50
c
A
200
2.5
180
0.80
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 51 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 51 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。目前受限于封装（芯片电流= 51 A） 。
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IRFZ44R ， SiHFZ44R
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
I
D
= 51A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（
°
C)
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91292
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IRFZ44R ， SiHFZ44R
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
100us
1ms
10
10ms
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 175 °C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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IRFZ44R ， SiHFZ44R
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R
D
60
V
DS
不限按包
50
R
G
V
GS
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
40
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
30
图。 10A - 开关时间测试电路
20
V
DS
90
%
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
10
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
10
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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