PD - 94592A
IRF6156
超低
R
SS （ON）的
每占位面积
l
低
热阻
l
双向N沟道开关
l
超扁平（ <.8毫米）
l
在磁带&卷轴可用测试
l
ESD保护二极管
描述
l
FlipFET功率MOSFET
V
SS
20V
:
60m
:
@V
GS1,2
= 2.5V
40米@V
GS1,2
= 4.5V
R
SS （ON）的
最大
I
S
±6.5
±5.2
真正的芯片级封装可从国际Recti-
费里。通过使用先进的加工技术和一个
独特的包装概念，极低的导通电阻和
最高功率密度在行业内已提供
用于电池和负载管理应用。这些好处，
结合加固装置的设计，国际
整流器是众所周知的，
为设计者提供了一个
非常有效和可靠的设备。
该
FlipFET ？
包，是五分之一可比的足迹
TSSOP -8封装和具有小于0.8毫米一个配置文件。 COM的
软硬件就可以为管芯级器件的低热阻此，
使
FlipFET ？
对于应用中的最佳设备
印刷电路板空间非常珍贵和极薄
如电池组，移动电话应用程序的环境
和PCMCIA卡。
绝对最大额定值
参数
V
SS
I
S
@ T
A
= 25°C
I
S
@ T
A
= 70°C
I
SM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J
T
英镑
源 - 源极电压
连续电流，V
GS1
= V
GS2
= 4.5V
连续电流，V
GS1
= V
GS2
脉冲电流
马克斯。
单位
V
A
W
e
功耗
e
功耗
c
e
= 4.5V
e
20
±6.5
±5.2
33
2.5
1.6
20
±12
-55到+ 150
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
R
θJA
R
θJ -PCB
结到环境
e
结到PCB
参数
典型值。
–––
35
马克斯。
50
–––
单位
° C / W
www.irf.com
1
09/25/03
