PD - 94592A
IRF6156
超低
R
SS （ON）的
每占位面积
l
低
热阻
l
双向N沟道开关
l
超扁平（ <.8毫米）
l
在磁带&卷轴可用测试
l
ESD保护二极管
描述
l
FlipFET功率MOSFET
V
SS
20V
:
60m
:
@V
GS1,2
= 2.5V
40米@V
GS1,2
= 4.5V
R
SS （ON）的
最大
I
S
±6.5
±5.2
真正的芯片级封装可从国际Recti-
费里。通过使用先进的加工技术和一个
独特的包装概念，极低的导通电阻和
最高功率密度在行业内已提供
用于电池和负载管理应用。这些好处，
结合加固装置的设计，国际
整流器是众所周知的，
为设计者提供了一个
非常有效和可靠的设备。
该
FlipFET ？
包，是五分之一可比的足迹
TSSOP -8封装和具有小于0.8毫米一个配置文件。 COM的
软硬件就可以为管芯级器件的低热阻此，
使
FlipFET ？
对于应用中的最佳设备
印刷电路板空间非常珍贵和极薄
如电池组，移动电话应用程序的环境
和PCMCIA卡。
绝对最大额定值
参数
V
SS
I
S
@ T
A
= 25°C
I
S
@ T
A
= 70°C
I
SM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J
T
英镑
源 - 源极电压
连续电流，V
GS1
= V
GS2
= 4.5V
连续电流，V
GS1
= V
GS2
脉冲电流
马克斯。
单位
V
A
W
e
功耗
e
功耗
c
e
= 4.5V
e
20
±6.5
±5.2
33
2.5
1.6
20
±12
-55到+ 150
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
R
θJA
R
θJ -PCB
结到环境
e
结到PCB
参数
典型值。
–––
35
马克斯。
50
–––
单位
° C / W
www.irf.com
1
09/25/03
IRF6156
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） SSS
源 - 源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
20
–––
16
27
43
–––
–––
–––
–––
50
100
8.0
-8.0
–––
–––
40
60
1.2
–––
1.0
25
–––
–––
20
-20
0.5
18
2.4
6.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.2
V
pF
ns
nC
A
A
nA
V
S
A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
S
= 250μA ，见图。 23a&b
V
（ BR ） SSS
/T
J
击穿电压温度。系数---
R
SS （ON）的
静态源到源导通电阻---
–––
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
SSS
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压源电流
0.45
18
–––
–––
–––
–––
I
GSS
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
Q
g
Q
gs
Q
G1-S2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
SSF
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
米勒电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源到源二极管正向
电压，一台设备上
–––
–––
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
S
=1mA,
Fig.23a&b
毫欧V
GS1,2
= 4.5V ，我
S
= 6.5A Fig.11a&b
V
GS1,2
V
SS
d
= 2.5V时， I = 5.2A
d
= V ， I = 250μA
d
图。 10a&b
S
GS
S
V
SS
= 10V ，我
S
= 6.5A ，见图。 4
V
SS
= 20V, V
GS
= 0V ，见Fig.23a&b
V
SS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
SS
= 4.5V, V
GS
= 0V ， TJ = 25°C
V
SS
= 4.5V, V
GS
= 0V ，T
J
= 60°C
V
GS
= 12V ，参照图22
V
GS
= -12V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= -4.5V
I
S
= 6.5A
V
SS
= 16V
V
GS
= 5.0V ，见图。 14A ， b&c
V
SS
= 10V
I
S
= 1.0A
R
G
= 3.0
V
GS
= 5.0V ，见图。 21A ， b&c
V
GS
= 0V
V
SS
= 15V
= 1.0KHz ，见图。 13A ， B，C ，D ， e&f
参见图。 17a&b
I
ss
= 2.5A
––– 0.20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
1.6
4.4
8.0
13
33
26
950
210
150
–––
––– -0.20 -0.5
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2％。施加到两个栅极的栅极电压。
当安装在1平方英寸2盎司覆铜的FR- 4 。
图1，图2和图3 ：一个FET的偏置电压为V
GS
= 9.0V和曲线显示第二FET的响应。
见图4 。
图5 ，图6和7 ： G1和G2被短路。见Fig.9a&b 。
连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。
无闸过电压额定值暗示的保证。
2
www.irf.com
IRF6156
RSS （上） ，源到 - 源极导通电阻（ MΩ）
RSS （上） ，源到源极导通电阻（mΩ ）
1200
60
1000
50
800
VGS = 2.5V
40
600
400
VGS = 4.5V
30
200
ID = 6.5A
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
20
0
5
10
15
20
25
30
35
VGS ，门-to - 源电压（V ）
IS ，源电流（ A）
图5 。
典型导通电阻比。门
电压。
图6 。
典型导通电阻与源
电流。
10
9
100000
10000
8
IGSS ，栅电流（mA ）
IGSS ，栅电流（ μA ）
7
6
5
4
3
2
1000
100
10
1
0.1
T J = 150℃
T J = 25°C
1
0
0
5
10
15
20
0.01
0
5
10
15
20
25
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7A 。
栅极电流与栅源
电压
图7B 。
栅极电流与栅源
电压
4
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IRF6156
超低
R
SS （ON）的
每占位面积
l
低
热阻
l
双向N沟道开关
l
超扁平（ <.8毫米）
l
在磁带&卷轴可用测试
l
ESD保护二极管
描述
l
FlipFET功率MOSFET
V
SS
20V
:
60m
:
@V
GS1,2
= 2.5V
40米@V
GS1,2
= 4.5V
R
SS （ON）的
最大
I
S
±6.5
±5.2
真正的芯片级封装可从国际Recti-
费里。通过使用先进的加工技术和一个
独特的包装概念，极低的导通电阻和
最高功率密度在行业内已提供
用于电池和负载管理应用。这些好处，
结合加固装置的设计，国际
整流器是众所周知的，
为设计者提供了一个
非常有效和可靠的设备。
该
FlipFET ？
包，是五分之一可比的足迹
TSSOP -8封装和具有小于0.8毫米一个配置文件。 COM的
软硬件就可以为管芯级器件的低热阻此，
使
FlipFET ？
对于应用中的最佳设备
印刷电路板空间非常珍贵和极薄
如电池组，移动电话应用程序的环境
和PCMCIA卡。
绝对最大额定值
参数
V
SS
I
S
@ T
A
= 25°C
I
S
@ T
A
= 70°C
I
SM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J
T
英镑
源 - 源极电压
连续电流，V
GS1
= V
GS2
= 4.5V
连续电流，V
GS1
= V
GS2
脉冲电流
马克斯。
单位
V
A
W
e
功耗
e
功耗
c
e
= 4.5V
e
20
±6.5
±5.2
33
2.5
1.6
20
±12
-55到+ 150
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
R
θJA
R
θJ -PCB
结到环境
e
结到PCB
参数
典型值。
–––
35
马克斯。
50
–––
单位
° C / W
www.irf.com
1
09/25/03
IRF6156
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） SSS
源 - 源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
20
–––
16
27
43
–––
–––
–––
–––
50
100
8.0
-8.0
–––
–––
40
60
1.2
–––
1.0
25
–––
–––
20
-20
0.5
18
2.4
6.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.2
V
pF
ns
nC
A
A
nA
V
S
A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
S
= 250μA ，见图。 23a&b
V
（ BR ） SSS
/T
J
击穿电压温度。系数---
R
SS （ON）的
静态源到源导通电阻---
–––
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
SSS
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压源电流
0.45
18
–––
–––
–––
–––
I
GSS
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
Q
g
Q
gs
Q
G1-S2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
SSF
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
米勒电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源到源二极管正向
电压，一台设备上
–––
–––
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
S
=1mA,
Fig.23a&b
毫欧V
GS1,2
= 4.5V ，我
S
= 6.5A Fig.11a&b
V
GS1,2
V
SS
d
= 2.5V时， I = 5.2A
d
= V ， I = 250μA
d
图。 10a&b
S
GS
S
V
SS
= 10V ，我
S
= 6.5A ，见图。 4
V
SS
= 20V, V
GS
= 0V ，见Fig.23a&b
V
SS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
SS
= 4.5V, V
GS
= 0V ， TJ = 25°C
V
SS
= 4.5V, V
GS
= 0V ，T
J
= 60°C
V
GS
= 12V ，参照图22
V
GS
= -12V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= -4.5V
I
S
= 6.5A
V
SS
= 16V
V
GS
= 5.0V ，见图。 14A ， b&c
V
SS
= 10V
I
S
= 1.0A
R
G
= 3.0
V
GS
= 5.0V ，见图。 21A ， b&c
V
GS
= 0V
V
SS
= 15V
= 1.0KHz ，见图。 13A ， B，C ，D ， e&f
参见图。 17a&b
I
ss
= 2.5A
––– 0.20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
1.6
4.4
8.0
13
33
26
950
210
150
–––
––– -0.20 -0.5
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2％。施加到两个栅极的栅极电压。
当安装在1平方英寸2盎司覆铜的FR- 4 。
图1，图2和图3 ：一个FET的偏置电压为V
GS
= 9.0V和曲线显示第二FET的响应。
见图4 。
图5 ，图6和7 ： G1和G2被短路。见Fig.9a&b 。
连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。
无闸过电压额定值暗示的保证。
2
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IRF6156
RSS （上） ，源到 - 源极导通电阻（ MΩ）
RSS （上） ，源到源极导通电阻（mΩ ）
1200
60
1000
50
800
VGS = 2.5V
40
600
400
VGS = 4.5V
30
200
ID = 6.5A
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
20
0
5
10
15
20
25
30
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VGS ，门-to - 源电压（V ）
IS ，源电流（ A）
图5 。
典型导通电阻比。门
电压。
图6 。
典型导通电阻与源
电流。
10
9
100000
10000
8
IGSS ，栅电流（mA ）
IGSS ，栅电流（ μA ）
7
6
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T J = 150℃
T J = 25°C
1
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5
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VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7A 。
栅极电流与栅源
电压
图7B 。
栅极电流与栅源
电压
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