飞思卡尔半导体公司
AC电气特性
表2-13 。
DRAM超出页面和刷新计时，十五等待状态
1,2
（续）
号
161
162
163
164
165
166
167
特征
CAS的无效数据无效（读保持时间）
RAS无效到RAS断言
RAS断言脉冲宽度
CAS断言RAS的无效
RAS断言CAS的无效
CAS断言脉冲宽度
断言RAS到CAS断言
RAS断言到列地址有效
CAS无效到RAS断言
CAS的无效脉冲宽度
行地址有效到RAS断言
RAS断言行地址无效
列地址有效到CAS断言
CAS断言到列地址无效
RAS断言到列地址无效
列地址有效到RAS的无效
WR无效到CAS断言
CAS无效到WR
4
断言
RAS无效到WR
4
断言
CAS断言WR的无效
RAS断言WR的无效
WR断言脉冲宽度
WR断言RAS的无效
WR断言CAS的无效
数据有效到CAS断言（写）
CAS断言数据无效（写入）
RAS断言数据无效（写入）
WR断言CAS断言
CAS断言RAS断言（刷新）
RAS无效到CAS断言（刷新）
RD断言RAS的无效
RD断言到数据有效
RD无效到数据无效
5
WR断言活动数据
WR无效到数据高阻抗
1.
2.
3.
4.
5.
符号
t
关闭
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
CP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
WCS
t
企业社会责任
t
RPC
t
ROH
t
GA
t
GZ
表达
0.0
3
100兆赫
单位
民
0.0
58.5
93.5
58.5
78.5
43.5
33.0
25.5
73.5
56.5
58.5
23.5
3.5
58.5
93.5
66.0
46.2
13.8
0.5
55.8
90.8
150.5
153.2
138.2
83.5
58.5
93.5
90.7
11.0
43.5
151.0
—
0.0
最大
—
—
—
—
—
—
37.0
29.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
134.3
—
—
2.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6.25
×
T
C
4.0
9.75
×
T
C
4.0
6.25
×
T
C
4.0
8.25
×
T
C
4.0
4.75
×
T
C
4.0
3.5
×
T
C
±
2
2.75
×
T
C
±
2
7.75
×
T
C
4.0
6.25
×
T
C
– 6.0
6.25
×
T
C
4.0
2.75
×
T
C
4.0
0.75
×
T
C
4.0
6.25
×
T
C
4.0
9.75
×
T
C
4.0
7
×
T
C
4.0
5
×
T
C
3.8
1.75
×
T
C
– 3.7
0.25
×
T
C
2.0
6
×
T
C
4.2
9.5
×
T
C
4.2
15.5
×
T
C
4.5
15.75
×
T
C
4.3
14.25
×
T
C
4.3
8.75
×
T
C
4.0
6.25
×
T
C
4.0
9.75
×
T
C
4.0
9.5
×
T
C
4.3
1.5
×
T
C
4.0
4.75
×
T
C
4.0
15.5
×
T
C
4.0
14
×
T
C
5.7
0.75
×
T
C
– 1.5
0.25
×
T
C
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180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
6.0
—
注意事项：
被指定在DRAM控制寄存器等待状态的超出页面的访问次数。
刷新周期被指定在DRAM控制寄存器。
使用表达式来计算所列出的最大值或最小值（或两者如果表达式包括
±).
要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足读周期。
RD的无效总是发生CAS的无效之后;因此，受限制的定时是叔
关闭
而不是吨
GZ
.
2-22
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