飞思卡尔半导体公司
AC电气特性
表2-8 。
100MHz的SRAM时序（续）
号
117
特征
RD无效到地址无效
符号
—
表达
1
100兆赫
单位
民
最大
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
–1.5
8.5
18.5
4.0
0
0.25
×
T
C
4.0
[ WS = 1 ]
1.25
×
T
C
4.0
[2
≤
WS
≤
7]
2.25
×
T
C
4.0
[ WS
≥
8]
0.25
×
T
C
+ 1.5
118
119
RD和WR的无效之前TA的设置
4
之后， TA保持RD或WR的无效
1.
2.
3.
4.
5.
—
—
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注意事项：
WS =的BCR -指定的等待状态数。的值是最小的一个给定的类别。 （例如，用于
一类的[2
≤
WS
≤
7 ]时间指定为2的等待状态。 ）两个等待状态是最低除外。
时序100和107通过设计保证，未经测试。
所有的时序为160 MHz的0.5测
×
V
CCH
0.5
×
V
CCH
.
对于TA的无效：计时118是相对于RD和WR如果TA是活动的无效边缘。
在WS数适用于该WR的无效发生访问，并假设下次访问
使用等待状态的数目最少。
表2-9 。
160 MHz的SRAM时序
号
100
特征
地址有效和AA断言脉冲宽度
2
符号
t
RC
, t
WC
表达
1
（ WS + 2 ）
×
T
C
4.0
[2
≤
WS
≤
7]
（WS + 3）的
×
T
C
4.0
[ WS
≥
8]
0.75
×
T
C
3.0
[2
≤
WS
≤
3]
1.25
×
T
C
3.0
[ WS
≥
4]
WS
×
T
C
4.0
[2
≤
WS
≤
3]
（ WS
0.5)
×
T
C
4.0
[ WS
≥
4]
1.25
×
T
C
4.0
[2
≤
WS
≤
7]
2.25
×
T
C
4.0
[ WS
≥
8]
（ WS + 0.75 ）
×
T
C
6.5
[ WS
≥
2]
（ WS + 0.25 ）
×
T
C
6.5
[ WS
≥
2]
160兆赫
单位
民
21.0
64.7
1.7
4.8
8.5
17.8
最大
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
101
地址和AA有效到WR断言
t
AS
102
WR断言脉冲宽度
t
WP
103
WR无效到地址无效
t
WR
3.8
10.0
—
—
—
10.7
ns
ns
ns
104
地址和AA的有效输入数据有效
t
AA
, t
AC
105
RD断言到输入数据有效
t
OE
—
7.6
ns
106
107
RD无效到数据无效（数据保持时间）
地址有效到WR的无效
2
t
OHZ
t
AW
（ WS + 0.75 ）
×
T
C
4.0
[ WS
≥
2]
0.0
13.2
—
—
ns
ns
2-13
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