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飞利浦半导体
BUK7575-100A ; BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
表5 ：性质
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
SD
t
rr
Q
r
参数
源极 - 漏极（二极管的正向）
电压
反向恢复时间
恢复电荷
条件
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图15
I
S
= 13 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的
V
GS
=
10
V; V
DS
= 30 V
民
典型值
0.85
64
120
最大
1.2
单位
V
ns
nC
源极 - 漏极二极管
60
ID
(A)
50
VGS （V）= 8
9
10
03nb31
20
7.5
90
RDSON
(m)
85
80
75
70
65
03nb30
40
6.5
30
20
5.5
60
55
10
4.5
0
0
2
4
6
8
10
VDS （ V）
50
5
10
15
VGS （ V）
20
T
j
= 25
°C;
t
p
= 300
s
T
j
= 25
°C;
I
D
= 10 A
图5.输出特性：漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型值。
图6.漏源导通电阻的函数
的栅极 - 源极电压;典型值。
03aa29
120
RDSON
(m)
100
03nb32
VGS （V）= 5.5
6
10
6.5 7 8
80
60
3
a
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-60
-20
20
60
100
140
180
o
TJ （ C）
40
0
10
20
30
40
ID （ A）
50
T
j
= 25
°C
R
DSON
a
=
---------------------------
-
R
DSON
(
25
°
C
)
图7.漏源导通电阻的函数
漏电流;典型值。
图8.归漏源导通电阻
因子作为结温的函数。
9397 750 07623
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年10月24日
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