飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
BUK582-60A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
ID / A
BUK582-60A
10
RD
S(
)=
ON
S/
VD
ID
TP = 10我们
100美
1毫秒
10毫秒
1
DC
0.1
100毫秒
1s
10 s
0
20
40
60
80
TAMB / C
100
120
140
0.01
0.1
1
10
VDS / V
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
AMB
)
ID％
归一化电流降额
图4 。安全工作区域T
AMB
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
ID / A
10
5
3.5
BUK582-60A
4.5
4
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3
VGS / V = 2.5
0
20
40
60
80
TAMB / C
100
120
140
0
2
4
VDS / V
6
8
10
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
AMB
） ;条件： V
GS
≥
5 V
BUKX82
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /欧姆
2.5
BUK582-60A
4
1E+02
第i个J- AMB / （K / W）
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P
D
t
p
0.5
3
3.5
1E+01
0.4
0.3
t
p
T
1E+00
D=
0.2
4.5
5
VGS / V = 10
1E-01
0
1E-02
1E-07
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
T
t
0.1
0
1E+01
1E+03
0
2
4
ID / A
6
8
10
如图3所示。瞬态热阻抗。
Z
日J- AMB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1993年4月
3
启1.000
