飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式
逻辑电平场效应功率
晶体管在一个塑料外壳
适于表面贴装
应用程序。
该装置适用于在使用中
汽车和通用
开关应用。
BUK582-60A
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力;
V
GS
= 5 V
马克斯。
60
2.5
1.7
150
0.15
单位
V
A
W
C
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
4
门
漏
来源
漏极（选项卡）
描述
引脚配置
4
符号
d
g
1
2
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
AMB
= 25 C
T
AMB
= 100 C
T
AMB
= 25 C
T
AMB
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
马克斯。
60
60
15
2.5
1.5
10
1.7
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号
R
日J- B
R
日J- AMB
参数
从结对板
1
从结点到环境
条件
安装在任何PCB例如图18
安装在印刷电路板图18的
分钟。
-
-
典型值。
40
-
马克斯。
-
75
单位
K / W
K / W
1
温度测量1-3毫米的标签。
1993年4月
1
启1.000
