飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK475-200A/B
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=125 C
V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V;
BUK475-200A
BUK475-200B
I
D
= 7 A
分钟。
200
2.1
-
-
-
-
-
典型值。
-
3.0
1
0.1
10
0.2
0.22
马克斯。
-
4.0
10
1.0
100
0.23
0.28
单位
V
V
A
mA
nA
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 7 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 3 A;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
分钟。
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
8.4
1400
190
55
18
35
85
35
4.5
7.5
马克斯。
-
1750
250
80
30
60
120
50
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
反向二极管极限值和特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 7.6 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 7.6 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.0
150
1.3
马克斯。
7.6
30
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1996年6月
2
启1.200
