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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK455-200A / B的孤立版
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料全包信封。该
器件旨在用于交换
模式电源（ SMPS ） ，
马达控制，焊接， DC / DC和
交流/直流转换器，并在一般
用开关应用。
BUK475-200A/B
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
BUK475
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
马克斯。
-200A
200
7.6
30
150
0.23
马克斯。
-200B
200
7
30
150
0.28
单位
V
A
W
C
钉扎 - SOT186A
针
1
2
3
门
漏
来源
描述
引脚配置
例
符号
d
g
孤立的情况下，
1 2 3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
hs
= 25 C
T
hs
= 100 C
T
hs
= 25 C
T
hs
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
-200A
7.6
4.8
30
30
150
150
马克斯。
200
200
30
-200B
7
4.4
28
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻结到
散热器
热阻结到
环境
条件
与复合散热器
分钟。
-
-
典型值。
-
55
马克斯。
4.17
-
单位
K / W
K / W
1996年6月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK475-200A/B
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=125 C
V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V;
BUK475-200A
BUK475-200B
I
D
= 7 A
分钟。
200
2.1
-
-
-
-
-
典型值。
-
3.0
1
0.1
10
0.2
0.22
马克斯。
-
4.0
10
1.0
100
0.23
0.28
单位
V
V
A
mA
nA
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 7 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 3 A;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
分钟。
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
8.4
1400
190
55
18
35
85
35
4.5
7.5
马克斯。
-
1750
250
80
30
60
120
50
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
反向二极管极限值和特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 7.6 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 7.6 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.0
150
1.3
马克斯。
7.6
30
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1996年6月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK475-200A/B
雪崩限值
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 14 A; V
DD
≤
100 V ;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
100
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
100
ID / A
ID
S/
VD
BUK445-200A,B
A
B
TP = 10我们
100美
1毫秒
10
R
N)
O
S(
D
=
1
DC
10毫秒
100毫秒
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0.1
1
10
100
VDS / V
1000
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
hs
)
ID％
归一化电流降额
与复合散热器
如图3所示。安全工作区。牛逼
hs
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第Z / （K / W）
D=
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKx45-lv
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0.1
0.01
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1E+01
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0.001
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
hs
） ;条件： V
GS
≥
10 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1996年6月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK475-200A/B
30
ID / A
VGS / V =
10
8
7
20
BUK455-200A
6
15
GFS / S
BUK455-200A
20
10
5
10
5
4
0
0
2
4
6
8
10 12
VDS / V
14
16
18
20
0
0
4
8
12
16
ID / A
20
24
28
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /欧姆
4
4.5
5
5.5
6
0.6
8
0.4
10
0.2
0
0
4
8
12
16
ID / A
20
24
28
VGS / V =
20
BUK455-200A
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
1.0
0.8
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-60 -40 -20
0
20
40 60
TJ / C
80
100 120 140
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 7 A; V
GS
= 10 V
VGS （ TO ） / V
4
马克斯。
28
24
20
16
12
8
4
0
ID / A
BUK455-200A
3
典型值。
分钟。
2
TJ / C =
150
25
1
0
0
2
4
VGS / V
6
8
10
-60
-40
-20
0
20
40
60
TJ / C
80
100
120
140
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1996年6月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK475-200A/B
1E-01
ID / A
亚阈值传导
30
IF / A
BUK455-200A
1E-02
1E-03
2%
典型值
98 %
20
TJ / C = 150
25
1E-04
10
1E-05
1E-06
0
1
2
VGS / V
3
4
0
0
1
VSDS / V
2
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
WDSS ％
10000
C / pF的
BUK4y5-200
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1000
西塞
科斯
100
CRSS
10
0
20
VDS / V
40
20
40
60
80
100
部份效果/ C
120
140
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
BUK455-200
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
hs
） ;条件：我
D
= 14 A
12
10
8
6
4
VGS / V
+
VDS / V = 40
VDD
L
VDS
160
VGS
0
RGS
T.U.T.
-
-ID/100
1
0
0
10
20
QG / NC
30
R 01
分流
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 14 A;参数V
DS
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1996年6月
5
启1.200
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BTR-3760G
BUD43D2
BZX284-C56
BZX284C56
BCX71GR
BS62LV4008STCP70
BA6819AF
B85121A4353B250
BZT55B2V0
B-48-7
B84114D0000L010
B350
BCM857DS
BUS-61569-580Y
BU16018KV
B84102C0050
BSO110N03MSG
B66305-F-X142
BU52054GWZ
BUK555-200B/B
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    -
    -
    -
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