富士功率MOSFET SuperFAP -G系列目标规格
初步
2SK3529-01 （ 800V / 1.9Ω / 7A ）
1 ）套餐
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复和不重复
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
TO-220
2 ）绝对最大额定值（TC = 25 ℃除非另有规定）
符号
V
DS
I
D
I
D（脉冲）
V
GS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D＠Ｔc=25℃
P
@ TA = 25 ℃
T
ch
T
英镑
评级
800
±7
±28
±30
7
235.3
20
5
195
2.02
150
-55
+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
*1
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
千伏/美国
千伏/美国* 2
W
W
℃
℃
3 ）电气特性（TCH = 25 ℃除非另有规定）
项
符号
测试条件
I
D
=250uA
V
GS
=0V
漏源击穿电压BV
DSS
I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
V
GS
（ TH ）
栅极阈值电压
V
DS
=800V
T
ch
=25℃
零栅极电压漏极电流I
DSS
V
GS
=0V
T
ch
=125℃
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
漏源通态电阻R
DS
（上）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏（米勒）充电
雪崩能力
二极管正向导通电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Qg
QGS
QGD
I
AV
V
SD
I
D
=3.5A
VGS=10V
分钟。
800
3.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
7
---
典型值。
---
---
---
---
---
---
830
100
5
25
7.5
7
---
1.0
马克斯。
---
5.0
50
500
100
1.9
---
---
---
---
---
---
---
1.5
单位
V
V
μA
μA
nA
Ω
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
Vcc=400V
I
D
=7A
V
GS
=10V
L=8.80mH
Tch=25℃
I
F
=7A,VGS=0V,Tch=25℃
pF
nC
A
V
4 ）热特性
项
渠道情况
渠道环境
符号
RTH （ CH -C ）
RTH （ CH -A ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.64
62.0
单位
℃/W
℃/W
* 1 L = 8.80mH ， VCC = 80V
*2 I
F
≤
-I
D
,-di/dt=50A/
S， Vcc的
≤
BV
DSS
，总胆固醇
≤
150
°
C
日期
DRAWN
Sep.-03-'02
检查
Sep.-03-'02
修订
MA4LE
名字
批准
DWG.NO.
富士电气有限公司。
MT5F12594
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