富士功率MOSFET SuperFAP -G系列目标规格
初步
2SK3529-01 （ 800V / 1.9Ω / 7A ）
1 ）套餐
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复和不重复
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
TO-220
2 ）绝对最大额定值（TC = 25 ℃除非另有规定）
符号
V
DS
I
D
I
D（脉冲）
V
GS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D＠Ｔc=25℃
P
@ TA = 25 ℃
T
ch
T
英镑
评级
800
±7
±28
±30
7
235.3
20
5
195
2.02
150
-55
+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
*1
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
千伏/美国
千伏/美国* 2
W
W
℃
℃
3 ）电气特性（TCH = 25 ℃除非另有规定）
项
符号
测试条件
I
D
=250uA
V
GS
=0V
漏源击穿电压BV
DSS
I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
V
GS
（ TH ）
栅极阈值电压
V
DS
=800V
T
ch
=25℃
零栅极电压漏极电流I
DSS
V
GS
=0V
T
ch
=125℃
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
漏源通态电阻R
DS
（上）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏（米勒）充电
雪崩能力
二极管正向导通电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Qg
QGS
QGD
I
AV
V
SD
I
D
=3.5A
VGS=10V
分钟。
800
3.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
7
---
典型值。
---
---
---
---
---
---
830
100
5
25
7.5
7
---
1.0
马克斯。
---
5.0
50
500
100
1.9
---
---
---
---
---
---
---
1.5
单位
V
V
μA
μA
nA
Ω
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
Vcc=400V
I
D
=7A
V
GS
=10V
L=8.80mH
Tch=25℃
I
F
=7A,VGS=0V,Tch=25℃
pF
nC
A
V
4 ）热特性
项
渠道情况
渠道环境
符号
RTH （ CH -C ）
RTH （ CH -A ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.64
62.0
单位
℃/W
℃/W
* 1 L = 8.80mH ， VCC = 80V
*2 I
F
≤
-I
D
,-di/dt=50A/
S， Vcc的
≤
BV
DSS
，总胆固醇
≤
150
°
C
日期
DRAWN
Sep.-03-'02
检查
Sep.-03-'02
修订
MA4LE
名字
批准
DWG.NO.
富士电气有限公司。
MT5F12594
1/1
2SK3529-01
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220AB
200304
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
*2
E
AS
*1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
T
ch
T
英镑
评级
800
800
±7
±28
±30
7
235.3
40
5
2.02
195
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
°C
°C
<150°C
* 1 L = 8.8mH ， VCC = 80V ，总胆固醇= 25°C看到雪崩能量图* 2 =总胆固醇
*3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150 ° C * 4 VDS< 800V * 5 V
GS
=-30V
=
=
=
=
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=800V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=640V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 3.5A V
GS
=10V
I
D
= 3.5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 600V我
D
=3.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=400V
I
D
=7A
V
GS
=10V
L = 8.8mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 7A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 7A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
800
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
1.90
1110
160
10.5
31.5
12
60
14.4
32
4.5
10.5
1.50
单位
V
V
A
nA
S
pF
4.1
1.46
8.2
740
105
7
21
8
40
9.6
21.5
3
7
0.90
2.3
7.0
ns
nC
7
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.640
62.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3529-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
10
200
8
FUJI功率MOSFET
250
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
20V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
150
ID [ A]
PD [ W]
6
6.0V
100
4
50
2
VGS=5.5V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
ID [ A]
1
GFS [S]
10
0.1
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
VGS电压[V]的
ID [ A]
2.1
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=5.5V
6.0V
6.5V
7.0V
8.0V
10V
20V
6.0
5.5
5.0
4.5
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 3.5A ， VGS = 10V
2.0
1.9
1.8
RDS （上）
]
RDS （上）
]
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
马克斯。
1.7
1.6
1.5
1.5
1.0
典型值。
1.4
0.5
1.3
0
2
4
6
8
10
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3529-01
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 7A ，总胆固醇= 25
°
C
12
VCC = 160V
400V
640V
马克斯。
10
VGS （ TH） [V]
4.5
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
VGS电压[V]的
4.0
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
10
10
0
西塞
C [ nF的]
10
-1
科斯
IF [ A]
1
CRSS
0
1
2
10
-2
10
-3
10
10
10
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
VDS [V]的
VSD [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 600V ， VGS = 10V ， RG = 10
600
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AS ） = F （首发TCH） ： VCC = 80V
I
AS
=3A
500
tf
10
2
400
TD （关闭）
I
AS
=5A
300
I
AS
=7A
200
tr
100
TD （上）
10
1
10
0
E
AS
[兆焦耳]
0
1
T [ NS ]
0
-1
10
10
10
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3529-01
FUJI功率MOSFET
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=80V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ）
°
C / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
QQ：2880707522 复制
