安森美半导体
)
硅达林顿
功率晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速
开关应用。
2N6667
2N6668
PNP硅
达林顿
功率晶体管
10安培
60-80伏
65 WATTS
高直流电流增益 -
的hFE = 3500 （典型值） @ IC = 4 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 200 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小值） - 2N6667
= 80伏直流（最小值） - 2N6668
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2 VDC （最大） @ IC = 5 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
补充2N6387 ， 2N6388
集热器
4
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
BASE
[
8k
[
120
辐射源
图1.达林顿示意图
最大额定值（ 1 ）
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N6667
60
60
2N6668
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
10
15
250
MADC
瓦
W / ℃，
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
PD
PD
65
0.52
2
0.016
瓦
W / ℃，
_C
工作和存储结温范围
TJ ， TSTG
-65到+150
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 第4版
出版订单号：
2N6667/D
