安森美半导体
)
塑料中功率
硅晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速
开关应用。
2N6387
2N6388*
·安森美半导体首选设备
高直流电流增益 -
的hFE = 2500（典型值） @ IC
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小值） - 2N6387
= 80伏直流（最小值） - 2N6388
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2.0伏（最大） @ IC
= 5.0 ADC - 2N6387 ， 2N6388
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
达林顿
8和10安培
NPN硅
功率晶体管
60-80伏
65 WATTS
4
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
2N6387
60
60
10
15
2N6388
80
80
10
15
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
250
MADC
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
_C
65
0.52
PD
2.0
0.016
工作和存储结，
温度范围
TJ ， TSTG
-65到+150
*最大额定值
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 10牧师
出版订单号：
2N6387/D
