标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
民
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
民
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
民
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
安森美半导体
)
塑料中功率
硅晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速
开关应用。
2N6387
2N6388*
·安森美半导体首选设备
高直流电流增益 -
的hFE = 2500（典型值） @ IC
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小值） - 2N6387
= 80伏直流（最小值） - 2N6388
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2.0伏（最大） @ IC
= 5.0 ADC - 2N6387 ， 2N6388
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
达林顿
8和10安培
NPN硅
功率晶体管
60-80伏
65 WATTS
4
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
2N6387
60
60
10
15
2N6388
80
80
10
15
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
250
MADC
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
_C
65
0.52
PD
2.0
0.016
工作和存储结，
温度范围
TJ ， TSTG
-65到+150
*最大额定值
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 10牧师
出版订单号：
2N6387/D
小信号电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 5.0伏， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 1 0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
特征
2N6387 2N6388
http://onsemi.com
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
ICEX
| HFE |
COB
的hFE
的hFE
1000
1000
100
民
20
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20,000
—
最大
200
300
300
3.0
3.0
2.8
4.5
2.0
3.0
5.0
1.0
1.0
—
—
—
—
MADC
MADC
MADC
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
3
2N6387 2N6388
VCC
+ 30 V
RC
范围
7.0
5.0
3.0
ts
tf
1.0
0.7
0.3
0.2
0.1
0.07
0.1
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
tr
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如，
1N5825上面使用IB
[
百毫安
MSD6100下使用IB
[
百毫安
TUT
RB
V1
约
+ 12 V
51
D1
[
8.0 k
[
120
0
V2
约
-8V
25
s
T， TIME （
s)
TR ， TF
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
- 4.0 V
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
td
0.5
2.0
1.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5.0
10
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图4.热响应
http://onsemi.com
4
2N6387 2N6388
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
dc
50毫秒
TJ = 150℃
5毫秒
10
s
50
s
1毫秒
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
键合丝有限公司
限热@ TC = 100℃
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
2N6387
2N6388
80
0.03
1.0
2.0
4.0 6.0
40
60
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
< 150_C 。 TJ （ pk）的可从图中的数据计算出的
4.在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过二次击穿所施加的限制
图5.活动区安全工作区
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
100
70
50
30
0.1
兴业银行
COB
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图6.小信号电流增益
图7.电容
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
25°C
1000
-55°C
500
300
200
TJ = 150℃
VCE = 4.0 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
20,000
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
2.2
1.8
1.4
1.0
4.0 A
6.0 A
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20 30
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
http://onsemi.com
5
安森美半导体
)
塑料中功率
硅晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速
开关应用。
2N6387
2N6388*
·安森美半导体首选设备
高直流电流增益 -
的hFE = 2500（典型值） @ IC
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小值） - 2N6387
= 80伏直流（最小值） - 2N6388
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2.0伏（最大） @ IC
= 5.0 ADC - 2N6387 ， 2N6388
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
达林顿
8和10安培
NPN硅
功率晶体管
60-80伏
65 WATTS
4
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
2N6387
60
60
10
15
2N6388
80
80
10
15
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
250
MADC
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
_C
65
0.52
PD
2.0
0.016
工作和存储结，
温度范围
TJ ， TSTG
-65到+150
*最大额定值
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 10牧师
出版订单号：
2N6387/D
小信号电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 5.0伏， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 1 0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
特征
2N6387 2N6388
http://onsemi.com
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
ICEX
| HFE |
COB
的hFE
的hFE
1000
1000
100
民
20
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20,000
—
最大
200
300
300
3.0
3.0
2.8
4.5
2.0
3.0
5.0
1.0
1.0
—
—
—
—
MADC
MADC
MADC
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
3
2N6387 2N6388
VCC
+ 30 V
RC
范围
7.0
5.0
3.0
ts
tf
1.0
0.7
0.3
0.2
0.1
0.07
0.1
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
tr
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如，
1N5825上面使用IB
[
百毫安
MSD6100下使用IB
[
百毫安
TUT
RB
V1
约
+ 12 V
51
D1
[
8.0 k
[
120
0
V2
约
-8V
25
s
T， TIME （
s)
TR ， TF
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
- 4.0 V
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
td
0.5
2.0
1.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5.0
10
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图4.热响应
http://onsemi.com
4
2N6387 2N6388
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
dc
50毫秒
TJ = 150℃
5毫秒
10
s
50
s
1毫秒
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
键合丝有限公司
限热@ TC = 100℃
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
2N6387
2N6388
80
0.03
1.0
2.0
4.0 6.0
40
60
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
< 150_C 。 TJ （ pk）的可从图中的数据计算出的
4.在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过二次击穿所施加的限制
图5.活动区安全工作区
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
100
70
50
30
0.1
兴业银行
COB
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图6.小信号电流增益
图7.电容
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
25°C
1000
-55°C
500
300
200
TJ = 150℃
VCE = 4.0 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
20,000
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
2.2
1.8
1.4
1.0
4.0 A
6.0 A
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20 30
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
http://onsemi.com
5
2N6387, 2N6388
2N6388是首选设备
塑料中功率
硅晶体管
这些器件是专为通用放大器和
低速开关的应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 - ^ h
FE
= 2500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小值） - 2N6387
= 80伏直流（最小值） - 2N6388
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC - 2N6387 ， 2N6388
整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
无铅包可用*
达林顿NPN硅
功率晶体管
8和10安培
65瓦， 60 - 80伏
记号
图
最大额定值
（注1 ）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结，
温度范围
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
80
60
80
5.0
10
15
250
65
0.52
2.0
0.016
-65到+150
单位
VDC
VDC
1
VDC
ADC
MADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
2
3
4
TO-220AB
CASE 221A
风格1
2N638xG
AYWW
2N638x =器件代码
X = 7或8的
G
= Pb-Free包装
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
订购信息
设备
2N6387
包
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
QJC
最大
1.92
单位
° C / W
2N6387G
2N6388
2N6388G
热阻，结到环境
62.5
R
qJA
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示JEDEC注册的数据。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 13牧师
出版订单号：
2N6387/D
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
民
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
民
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
民
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
安森美半导体
)
塑料中功率
硅晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速
开关应用。
2N6387
2N6388*
·安森美半导体首选设备
高直流电流增益 -
的hFE = 2500（典型值） @ IC
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小值） - 2N6387
= 80伏直流（最小值） - 2N6388
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2.0伏（最大） @ IC
= 5.0 ADC - 2N6387 ， 2N6388
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
达林顿
8和10安培
NPN硅
功率晶体管
60-80伏
65 WATTS
4
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
2N6387
60
60
10
15
2N6388
80
80
10
15
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
250
MADC
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
_C
65
0.52
PD
2.0
0.016
工作和存储结，
温度范围
TJ ， TSTG
-65到+150
*最大额定值
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 10牧师
出版订单号：
2N6387/D
小信号电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 5.0伏， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 1 0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
特征
2N6387 2N6388
http://onsemi.com
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
2N6387
2N6388
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
ICEX
| HFE |
COB
的hFE
的hFE
1000
1000
100
民
20
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20,000
—
最大
200
300
300
3.0
3.0
2.8
4.5
2.0
3.0
5.0
1.0
1.0
—
—
—
—
MADC
MADC
MADC
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
3
2N6387 2N6388
VCC
+ 30 V
RC
范围
7.0
5.0
3.0
ts
tf
1.0
0.7
0.3
0.2
0.1
0.07
0.1
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
tr
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如，
1N5825上面使用IB
[
百毫安
MSD6100下使用IB
[
百毫安
TUT
RB
V1
约
+ 12 V
51
D1
[
8.0 k
[
120
0
V2
约
-8V
25
s
T， TIME （
s)
TR ， TF
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
- 4.0 V
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
td
0.5
2.0
1.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5.0
10
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图4.热响应
http://onsemi.com
4
2N6387 2N6388
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
dc
50毫秒
TJ = 150℃
5毫秒
10
s
50
s
1毫秒
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
键合丝有限公司
限热@ TC = 100℃
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
2N6387
2N6388
80
0.03
1.0
2.0
4.0 6.0
40
60
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
< 150_C 。 TJ （ pk）的可从图中的数据计算出的
4.在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过二次击穿所施加的限制
图5.活动区安全工作区
10,000
HFE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
100
70
50
30
0.1
兴业银行
COB
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图6.小信号电流增益
图7.电容
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
25°C
1000
-55°C
500
300
200
TJ = 150℃
VCE = 4.0 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
20,000
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
2.2
1.8
1.4
1.0
4.0 A
6.0 A
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20 30
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
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5
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2N6666 /六千六百六十八分之六千六百六十七
·达林顿
高
直流电流增益
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
对于通用放大器
和低速切换应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6386 2N6387 2N6388
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
参数
2N6386
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6387
2N6388
2N6386
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6387
2N6388
V
EBO
I
C
发射极 - 基极电压
2N6386
集电极电流DC
2N6387/6388
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极电流脉冲
基极电流DC
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
10
15
0.25
65
150
-65~150
A
A
W
℃
℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
8
A
V
V
V
单位
QQ：2880707522 复制
