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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第713页 > 2N6055
互补大功率达林顿管
的2N6053是在单片达林顿结构的硅外延基极的PNP晶体管和
安装在JEDEC的TO - 3金属外壳。
它们设计用于线性电源和开关应用。
互补NPN型是2N6055
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
评级
＃集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
I
B
=0
I
E
=0
2N6053
2N6055
2N6053
2N6055
2N6053
2N6055
2N6053
2N6055
2N6053
2N6055
2N6053
2N6055
2N6053
2N6055
2N6053
2N6055
2N6053
2N6055
价值
60
60
5.0
8
单位
V
V
V
I
C
集电极电流
PEAK
A
16
120
100
mA
瓦
°C
-65到+200
°C
I
B
P
合计
T
J
T
S
基极电流
总功耗
结温
储存温度
@ T
C
= 25°
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
2N6053
2N6055
价值
1.75
单位
° C / W
1
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
评级
测试条件（S ）
最小典型单位的Mx
2N6053
60
2N6055
2N6053
-
2N6055
2N6053
-
2N6055
2N6053
-
2N6055
2N6053
-
2N6055
2N6053
750
2N6055
2N6053
100
2N6055
-
2N6053
-
2N6055
-
2N6053
-
2N6055
2N6053
-
2N6055
2N6053
4
2N6055
-
2N6053
-
2N6055
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
500
5
2.0
18K
-
-
2.0
3.0
4.0
2.8
-
-
200
300
V
V
V
兆赫
pF
V
mA
A
mA
mA
集电极 - 发射极可持续
I
C
-100毫安
电压（1）
集电极 - 发射极电流
集电极截止电流
V
CE
=30 V
V
CE
=60 V, V
BE
=-1.5 V
V
CE
=60 V, V
BE
=-1.5 V
T
C
=150°C
发射Cuto FF电流
V
EB
=5.0 V
I
C
= 4.0 A，V
CE
=3.0 V
I
C
= 8.0 A，V
CE
=3.0 V
h
FE
直流电流增益（ * ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
CBO
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
基射极电压（ * ）
基射极电压
跃迁频率
集电极 - 基
电容
I
C
= 4.0 A，I
B
= 16毫安
I
C
= 8.0 A，I
B
± 80毫安
I
C
= 8.0 A，I
B
± 80毫安
I
C
= 4.0 A，V
CE
=3.0 V
V
CE
= 3.0伏，我
C
= 3.0 ADC ， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
！ ！ ！适用于PNP型的电流和电压值是负！ ！ ！
2
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
3
A
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
·达林顿
.Complement
键入2N6053 ; 2N6054
应用
通用
功率放大器和低
具有结构转换的频率应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6055 2N6056
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
参数
2N6055
集电极 - 基极电压
2N6056
2N6055
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6056
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
80
5
8
16
120
100
200
-65~200
V
A
A
mA
W
℃
℃
发射极开路
80
60
V
条件
价值
60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有规定的Tm = 25℃
符号
参数
2N6055
I
C
= 0.1 A;我
B
=0
2N6056
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和voltge
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
2N6055
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6056
2N6055
I
CEX
集电极截止电流
2N6056
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
V
CE
= 40V ;我
B
=0
V
CE
=60V; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=80V; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 4A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
I
E
=0;V
CB
=10V;f=0.1MHz
I
C
= 4A ，我
B
=16mA
I
C
= 8A ，我
B
=80mA
I
C
= 8A ，我
B
=80mA
I
C
= 4A ; V
CE
=3V
V
CE
= 30V ;我
B
=0
条件
2N6055 2N6056
民
60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
80
2.0
3.0
4.0
2.8
V
V
V
V
0.5
mA
0.5
5.0
mA
0.5
5.0
2.0
750
100
220
pF
18000
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6055 2N6056
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·达林顿
·补到2N6053型; 2N6054
应用
·通用功率放大器和低
具有结构转换的频率应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6055 2N6056
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
2N6055
2N6056
2N6055
2N6056
条件
发射极开路
价值
60
80
60
80
5
8
16
120
T
C
=25
100
200
-65~200
单位
V
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
开基
集电极开路
V
V
A
A
mA
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.75
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tm=25
除非另有说明
参数
2N6055
I
C
= 0.1 A;我
B
=0
2N6056
I
C
= 4A ，我
B
=16mA
I
C
= 8A ，我
B
=80mA
I
C
= 8A ，我
B
=80mA
I
C
= 4A ; V
CE
=3V
2N6055
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6056
2N6055
I
CEX
集电极截止电流
2N6056
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
V
CE
= 40V ;我
B
=0
V
CE
=60V; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150
V
CE
=80V; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 4A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
I
E
=0;V
CB
=10V;f=0.1MHz
V
CE
= 30V ;我
B
=0
条件
符号
2N6055 2N6056
民
60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
80
2.0
3.0
4.0
2.8
V
V
V
V
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和voltge
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
0.5
mA
0.5
5.0
0.5
5.0
2.0
750
100
220
18000
mA
mA
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6055 2N6056
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
2N6055
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 8A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
8
单位
V
A
-
@ 3/4 (V
CE
/ I
C
)
750
4M
100
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
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23-21SYGC-S530-E2-TR8
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2-282812-0
2SC3820
2SB1021
295S224F253A31
2N5045
2SK2373ZE-TL-E
2N1906
20021321-000A0T1LF
2N6387
22PCCFB2G
2SB740C
2N2351
24AA64XT-I/P
2N1606
24AA256T-EP
2.12.240-230
28C010TRT1DI-20
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N6055
    -
    -
    -
    -
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电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
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2N6055
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32000
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2N6055
ST/ON
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23000
TO-3
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34500
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27000
TO-3
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联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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1016+
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