2N5655 2N5657
IC ，集电极电流（ AMP ）
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
250
350
250
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
单位
VDC
VDC
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 100 MADC （感性） ， L = 50毫亨）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
（ VCE = 250 VDC ， IB = 0 ）
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
VCEO （ SUS）
V（ BR ） CEO
ICEO
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
10
10
10
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 350伏， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 150伏， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 275伏， IE = 0 ）
（ VCB = 375伏， IE = 0 ）
ICEX
MADC
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
ICBO
μAdc
发射极截止电流（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 250 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）
IEBO
的hFE
μAdc
–
基本特征
25
30
15
5.0
–
–
–
–
–
250
–
–
1.0
2.5
10
1.0
–
–
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
（ IC = 250 MADC ， IB = 25 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 100 MADC ）
VCE （ SAT ）
VDC
基射极电压（ 1 ） （IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
VBE
fT
COB
的hFE
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ） （IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 100千赫）
10
–
20
兆赫
pF
–
25
小信号电流增益（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据为2N5655系列。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
（2）的fT被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
1.0
0.5
TJ = 150℃
1.0毫秒
d
c
第二击穿极限
热极限@ TC = 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定VCEO
2N5655
2N5657
20
30 40
60
100
200 300 400
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
600
10
s
500
s
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明I C - V CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图3中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
图3.有源区安全工作区
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