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EDE5116AFSE
DLL使能/禁用
该DLL必须启用正常运行。 DLL使在上电时初始化是必需的，并且在
含有禁用DLL后恢复正常运行。进入自当DLL被自动禁用
刷新操作，并自动重新启动时的自刷新操作退出。该DLL允许任何时间
（随后复位） ， 200个时钟周期必须出现一个读命令发出，以便有时间的前
内部时钟与外部时钟同步。不能等待同步发生可能导致
违反TAC或tDQSCK参数。
EMRS （2 ）编程
*1
扩展模式寄存器（ 2）控制刷新的相关功能。扩展模式的默认值
寄存器（2）没有被定义，因此，在扩展模式寄存器（ 2）必须被写入电后进行适当的
操作。扩展模式寄存器（ 2 ）写的是主张低CS ， / RAS ， / CAS ， / WE ，高高BA1和低
在BA0 ，同时控制地址引脚A0各州A12 。在DDR2 SDRAM应在所有银行预充电
与CKE写入扩展模式寄存器之前已经很高了（ 2 ） 。该模式寄存器设置命令周期
时间（超过tMRD ）必须满足以完成写入操作，以扩展模式寄存器（ 2）。模式寄存器
内容可以通过正常操作，只要在相同的命令和时钟周期的要求而改变
因为所有的银行都是在预充电状态。
BA1 BA0 A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
扩展模式寄存器（ 2 ）
1
0
0*
1
SRF
0*
1
A7
0
1
高温
自刷新速率
启用
关闭
启用（可选）
注： 1 ，其余的位EMRS （2 ）被保留供将来使用，所有位中EMRS （ 2）除了A7， BA0和BA1
在初始化过程中设置扩展模式寄存器（ 2）时，必须设定为0 。
EMRS(2)
EMRS （ 3 ）程序设计：保留
*1
BA1 BA0 A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
扩展模式寄存器（ 3 ）
1
1
0*
1
注：1 EMRS （3）被保留以供将来使用，除BA0和BA1的所有位必须被编程
在初始化时为0设置模式寄存器时。
EMRS （3）
数据表E0705E20 （版本2.0 ）
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