位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第837页 > EDE5116AFSE-4A-E > EDE5116AFSE-4A-E PDF资料 > EDE5116AFSE-4A-E PDF资料1第26页
EDE5116AFSE
DDR2 SDRAM的操作
读取和写入访问的DDR2 SDRAM是迸发导向;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于四个或八个在编程序列中的固定脉冲串长度。访问开始时的注册
激活命令，然后接着是读或写命令。地址位注册重合
激活命令用于选择银行和行访问（ BA0 ， BA1选择银行; A0到A12选择
行） 。与读或写命令的地址位注册重合用于选择的出发
列位置的突发访问，并确定该自动预充电命令被发出。
之前的正常运行，DDR2 SDRAM中必须被初始化。以下各节提供详细信息
包括设备初始化;寄存器定义，命令描述和设备操作。
开机和初始化
的DDR2 SDRAM必须被加电并以预定的方式进行初始化。比其他的操作流程
这些规定可能会导致不确定的操作。
上电和初始化顺序
下面的序列所需的电和初始化。
1
1.接通电源，并尝试保持CKE低于0.2
×
VDDQ和ODT *处于较低状态（所有其他输入可能
未定义）。
VDD和VDDL和VDDQ的是从单个电源转换器的输出驱动，与
VTT被限制为0.95V max时，与
VREF跟踪VDDQ / 2 。
or
之前或同时为VDDL施加VDD 。
之前或同时为VDDQ申请VDDL 。
之前或同时为VTT和VREF应用VDDQ 。
至少一个这两组条件必须得到满足。
2.启动时钟和保持稳定的状态。
3.为200μs的稳定电源和时钟（ CK ， / CK ）之后的最低，然后应用[ NOP ]或[ DESL ] ，并采取CKE
高。
4.等待最低的为400ns ，然后发出预充电所有命令。 [ NOP ]或[ DESL ]在400ns的周期使用。
5.文档EMRS （2）命令。 （要发出EMRS （ 2 ）指令，提供从低到BA0 ，高至BA1 ）。
6.发行EMRS （ 3 ）命令。 （要发出EMRS （ 3 ）命令，高BA0和BA1 ）。
7.发行EMRS使DLL。 （要发出DLL enable命令，提供从低到A0 ，高BA0和低BA1和
A12.)
8. Issue一个模式寄存器组命令复位DLL 。
（要发出DLL复位指令，提供高至A8和低BA0 ， BA1 ，以及A12 ）
9.发出预充电所有命令。
10.问题2或更多自动刷新命令。
11.发行模式寄存器设置命令低到A8初始化设备操作。 （即编程操作
参数无需重新设置DLL ）。
第8步12后至少200个时钟，执行OCD校准（片外驱动器阻抗调整） 。如果强迫症
校准没有被使用， EMRS OCD默认命令（A9 = A8 = A7 = 1 ），接着EMRS OCD校准
模式exit命令（ A9 = A8 = A7 = 0 ）时请务必EMRS其他运行参数发出。
13. DDR2 SDRAM现在可以正常运行。
注：1。为了保证ODT关闭， VREF必须是有效的和低的电平必须被施加到ODT管脚。
总胆固醇TCL
CK
/ CK
TIS
CKE
命令
NOP
PALL
激进党
EMRS
超过tMRD
太太
超过tMRD
PALL
激进党
REF
tRFC
REF
tRFC
太太
超过tMRD
EMRS
按照OCD
流程图
EMRS
TOIT
任何
命令
400ns
DLL使能
复位DLL
默认情况下强迫症
OCD校准模式
出口
200个周期（分钟）
上电和初始化序列
数据表E0705E20 （版本2.0 ）
26
