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4兆位SmartVoltage BOOT块系列
3.3.4.1
暂停和恢复擦除
3.4.2
WP ＃ = V
IL
为引导块
锁定
E
由于擦除操作需要的顺序
秒内完成，擦除挂起命令
被设置为允许擦除序列中断
为了从所述另一个块中读取数据
内存。一旦擦除序列开始，
写入擦除挂起命令崔
要求该WSM暂停擦除序列
在预定点中的擦除算法。该
状态寄存器将指示是否/何时擦除
操作已被暂停。
在这一点上，一个读阵列命令可以写成
向以读取块的其它数据在CUI
比正在被暂停。唯一的其他
此时有效的命令是擦除恢复
命令或读状态寄存器命令。
在擦除暂停模式下，芯片可以进入一个
伪待机采取CE＃为V模式
IH
，这
主动降低电流消耗。
要恢复擦除操作，使得由芯片
以CE＃到V
IL
，然后发出擦除恢复
命令，继续擦除序列
完成。与标准擦除的端
操作时，状态寄存器必须读，
清零，并为了下一个指令发出
继续。
当WP ＃ = V
IL
时，引导模块被锁定，并任
编程或擦除操作来引导块将
导致在状态寄存器中的错误。所有其他
块保持在该状态下解除锁定，并且可以是
编程或擦除正常。注意，这
功能覆盖和引导块解锁
当RP ＃ = V
HH
.
3.4.3
RP ＃ = V
HH
或WP ＃ = V
IH
为引导
BLOCK解锁
两种方法可用于解锁引导块：
1. WP ＃ = V
IH
2. RP ＃ = V
HH
如果同时满足这两个条件或其中满足，则
引导块将解锁并且可以是
编程或擦除。
3.4.4
升级说明8兆位
44 PSOP封装
3.4
引导块锁定
引导块系列架构有
硬件上锁的引导块，这样内核
为系统码，可以保持安全而
参数及主要模块进行编程和
独立地被擦除的必要。只有启动
块可独立于其它被锁定
块。事实表，表9 ，明确规定了
写保护方法。
3.4.1
V
PP
= V
IL
有关完整
保护
如果可升级到8M是必需的，注意
8兆位的44 - PSOP没有WP＃
因为没有标签是可用的8兆位
升级地址。因此，在该密度封装
只有组合，V
HH
（ 12V ）上的RP ＃要求
解锁引导块。用逻辑电平解锁
信号是不可能的。如果该功能是
要求和12V不可用，可以考虑使用
48- TSOP封装，其中有一个WP ＃引脚和
可以解锁用逻辑电平信号。所有其他
密度封装组合有WP ＃引脚。
表9.写保护真值表
V
PP
V
IL
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
RP ＃
X
V
IL
V
HH
V
IH
V
IH
WP ＃
X
X
X
V
IL
V
IH
写保护
提供
所有的块锁定
所有的块锁定
（ RESET ）
所有块解锁
引导块锁定
所有块解锁
所有块中的完整的写保护
闪光装置中，V
PP
编程电压可以是
保持低电平。当V
PP
低于V
PPLK
任何程序或
擦除操作将导致状态的错误
注册。
22
初步
