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E
3.3.2.1
3.3.3
4兆位SmartVoltage BOOT块系列
状态寄存器前应清除
在尝试下一次操作。任何崔指令
可以按照程序完成后，
然而，从存储器阵列的读或
智能标识符不能被完成的，直到
崔给出相应的命令。
3.3.4
擦除模式
清除状态寄存器
WSM的设置状态位3到7为“1 ”，并
清除位6和7为“0 ”，但不能清除状态
位3至5为“0”位3至5也只能是
通过使用清除由控制CPU的
清除状态寄存器（ 50H ）命令，因为
这些位表示各种错误情况。通过
允许该系统软件来控制复位
这些位中的，多个操作可以被执行
（如累积编程几个字节
或序列之前擦除多个块）
读状态寄存器以确定是否有错误
这一系列过程中发生的。清除状态
开始另一个命令之前或注册
序列。请注意，同样，一个读阵列
必须发出命令可以读取数据之前
从存储器或智能标识符。
编程模式
要擦除的块，写擦除设置和擦除
确认命令，在CUI ，随着
地址识别该块被擦除。这些
地址被内部锁存时，擦除
确认命令发出。块擦除结果
在块内的所有的位被设定为“1 ” ，只有一个
块可以同时被擦除。
该WSM将执行内部序列
定时事件：
1.程序块中的所有位为“ 0”。
2.确认块内所有的位都
充分地编程为“0”。
3.块内清除所有位为“ 1”。
4.确认块内所有的位都
充分擦除。
而擦除序列执行时，位的7
状态寄存器是一个“ 0”。
当状态寄存器指示擦除是
完成后，检查擦除状态位，以验证
擦除操作是成功的。如果擦除
操作不成功，位的状态5
寄存器将被设置为“1 ”，表示一个擦除
失败。如果V
PP
不经过可接受的限度内
擦除确认命令发出后， WSM
将不执行擦除序列;相反，位5
状态寄存器被设置为“1”，以表示
擦除失败，和第3位被设置为“1” ，以确定该
V
PP
电源电压是不能接受的限度内。
在尝试之前清除状态寄存器
接下来的操作。崔任何指令后，可以按照
擦除完毕;然而，从读取
存储器阵列，状态寄存器，或智能
标识符不能完成，直到崔是
考虑到读阵列命令。
编程是使用双写执行
序列。程序设置命令写入
向崔后跟一个第二写入其中
指定的地址和数据进行编程。
该WSM将执行内部序列
定时事件：
1.程序的处理所需要的位
存储字或字节。
2.验证所需的位是足够的
编程。
存储器的编程造成的特定位
字节或字内被改变为“0”。
如果用户尝试编程“1” ，将不会有
该存储单元的内容和没有错误的变化
发生。
状态寄存器指示编程状态：
在程序顺序执行，位7
状态寄存器是一个“ 0 ”状态寄存器
可以通过切换CE＃或OE ＃进行查询。而
编程，唯一有效的命令阅读
状态寄存器。
当编程完成后，程序
状态位应该进行检查。如果编程
操作不成功，位的状态4
寄存器设置为“1” ，表示一个程序
失败。如果第3位被设置为“1”，则V
PP
不
在可接受的限度内，并且WSM没
执行编程序列。
初步
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