DG2015
新产品
Vishay Siliconix公司
低电压，低R
ON
，双路DPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
低工作电压（ 2.7 V至3.3 V ）
低导通电阻 - R的
ON：
0.85
W
3分贝损失@ 100 MHz的
快速切换：
t
ON
= 40 ns的
t
关闭
= 35 ns的
D
QFN -16封装
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
TTL / 1.8 -V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
描述
该DG2015是双路双刀/双掷单片
CMOS模拟开关设计的高性能开关
的模拟信号。结合低功耗，高速，低
导通电阻和小的物理尺寸， DG2015是理想的
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG2015采用Vishay Siliconix公司的低电压JI2过程。
外延层可以防止闭锁。突破前先为
保证。
该交换机进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
DG2015
QFN- 16（4 ×4）
NC1 COM1 GND COM4
16
15
14
13
真值表
逻辑
0
12
11
10
9
NC4
NO4
NC1 ，2，3和4中
ON
关闭
NO1 ，2，3和4中
关闭
ON
NO1
INA
NO2
NC2
1
2
3
4
1
订购信息
INB
温度范围
NO3
-40到85°C
包
16引脚QFN （4 ×4mm）所
产品型号
DG2015DN
5
COM2
6
V+
7
8
COM3 NC3
顶视图
文档编号： 71971
S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03
www.vishay.com
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