DG2015

新产品

Vishay Siliconix公司

低电压，低R

ON

，双路DPDT模拟开关

特点

D

D

D

D

低工作电压（ 2.7 V至3.3 V ）

低导通电阻 - R的

ON：

0.85

W

3分贝损失@ 100 MHz的

快速切换：

t

ON

= 40 ns的

t

关闭

= 35 ns的

D

QFN -16封装

好处

D

D

D

D

D

降低功耗

精度高

减少电路板空间

TTL / 1.8 -V逻辑兼容

高带宽

应用

D

D

D

D

D

手机

音箱耳麦开关

音频和视频信号路由

PCMCIA卡

电池供电系统

描述

该DG2015是双路双刀/双掷单片

CMOS模拟开关设计的高性能开关

的模拟信号。结合低功耗，高速，低

导通电阻和小的物理尺寸， DG2015是理想的

便携式和电池需要高供电应用

性能和高效利用的电路板空间。

该DG2015采用Vishay Siliconix公司的低电压JI2过程。

外延层可以防止闭锁。突破前先为

保证。

该交换机进行同样在两个方向上时，

并阻止了电源电平的时候了。

功能框图及引脚配置

DG2015

QFN- 16（4 ×4）

NC1 COM1 GND COM4

16

15

14

13

真值表

逻辑

0

12

11

10

9

NC4

NO4

NC1 ，2，3和4中

ON

关闭

NO1 ，2，3和4中

关闭

ON

NO1

INA

NO2

NC2

1

2

3

4

1

订购信息

INB

温度范围

NO3

-40到85°C

包

16引脚QFN （4 ×4mm）所

产品型号

DG2015DN

5

COM2

6

V+

7

8

COM3 NC3

顶视图

文档编号： 71971

S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03

www.vishay.com

1

DG2015

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

参考GND

V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V

IN， COM ，NC ， NO

a

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到（V + + 0.3V）

电流（除NO，NC或COM不限终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

连续电流（ NO ， NC或COM ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

"150

mA

峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

"200

mA

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃

包装回流焊条件

d

16引脚QFN （4×4毫米）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃

功率耗散（包）

b

QFN-16

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1880毫瓦

注意事项：

一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间

最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免23.5毫瓦/ _C以上70_C

。手工焊接铁，不建议无引线元件。

该QFN是一种无引线封装。引线端子的端部露出

铜（未镀），为在manufactur-单片化处理的结果

ING 。焊料圆角处露铜唇不能得到保证，并

不要求保证足够的底侧的焊料互连。

新产品

规格（ V + = 3V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

r

ON

MATCH

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

Dr

ON

I

否（关）

,

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

I

COM（上）

V+ = 2.7 V, V

COM

= 0.2 V / 1.5 V，I

NO

, I

NC

= 100毫安

V+ = 2.7 V

V

COM

= 0至V + I

NO

, I

NC

= 100毫安

V+,

满

房间

满

房间

房间

房间

满

房间

满

房间

满

-1

- 10

-1

- 10

-1

- 10

0

0.85

V+

1.6

1.7

W

V

范围

- 4085 ℃下

符号

V+ = 3 V,

"10%,

V

IN

= 0.4或2.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

0.16

0.15

1

10

1

10

1

10

关机漏电流

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= 1 V/3 V

V

COM

= 3 V/1 V

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 1 V/3 V

nA

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

满

满

满

V

IN

= 0或V +的

满

2

0.4

4

-1

1

V

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

N

O

, N

C

关断电容

d

通道上

通道导通电容

d

t

ON

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

数控（ON）的

V

IN

= 0或V + F = 1 MHz的

V+,

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

C

L

= 5 pF的F = 1 MHz的

W,

PF，

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 300

W,

C

L

= 35 pF的

房间

满

房间

满

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

1

40

35

3

7

- 67

- 70

63

67

200

196

pF

dB

pC

65

67

60

62

ns

www.vishay.com

2

文档编号： 71971

S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03

DG2015

新产品

规格（ V + = 3V）

测试条件

否则，除非指定

参数

电源

电源电压范围

电源电流

耗电量

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

f.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

5 -V泄漏检测保证，未经生产测试。

V+

I+

P

C

V

IN

= 0或V +的

满

满

2.7

3.3

1.0

3.3

V

mA

mW

Vishay Siliconix公司

范围

- 4085 ℃下

符号

V+ = 3 V,

"10%,

V

IN

= 0.4或2.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

ON

与V

COM

与电源电压

2.5

中T = 25℃

I

S

= 100毫安

r

ON

- 导通电阻（

W

)

2.5

I

S

= 100毫安

2.0

V+ = 3 V

85_C

1.5

25_C

- 40_C

r

ON

与模拟电压和温度

2.0

r

ON

- 导通电阻（

W

)

1.5

V+ = 3.0 V,

1.0

1.0

0.5

0.5

0.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

V

COM

- 模拟电压（ V）

V

COM

- 模拟电压（ V）

电源电流与温度的关系

100

V+ = 3 V

V

IN

= 0 V

I + - 电源电流（ NA）

10

I + - 电源电流（ A）

10毫安

1毫安

100

mA

10

mA

1

mA

100 nA的

10 nA的

1 nA的

0.1

- 60

100 pA的

- 40

- 20

0

20

40

60

80

100

电源电流与输入开关频率

V+ = 3 V

1

10

100

1K

10 K

100 K

1M

10 M

温度（℃）

文档编号： 71971

S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03

输入开关频率（Hz ）

www.vishay.com

3

DG2015

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

漏电流与温度的关系

1000

V+ = 3 V

800

600

400

200

0

- 200

- 400

- 600

1

- 60

- 800

0.0

I

否（关）

, II

NC （关闭）

I

COM（上）

V+ = 3 V

I

COM （关闭）

泄漏与模拟电压

漏电流（PA ）

漏电流（PA ）

100

I

COM（上）

I

COM （关闭）

10

I

否（关）

, II

NC （关闭）

- 40

- 20

0

20

40

60

80

100

漏电流（PA ）

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

温度（℃）

V

COM

, V

NO

, V

NC

- 模拟电压（ V）

开关时间与温度的关系

60

10

插入损耗，关断隔离

串扰与频率

t

ON

/ t

关闭

- 开关时间（

m

s)

- 10

损失， OIRR ，X

TALK

（ dB）的

50

损失

- 30

40

t

ON

V+ = 3 V

- 50

OIRR

- 70

X

TALK

V+ = 3 V

R

L

= 50

W

30

t

关闭

V+ = 3 V

20

- 60

- 90

- 40

- 20

0

20

40

60

80

100

100 K

1M

10 M

频率（Hz）

100 M

1G

温度（℃）

开关阈值与电源电压

3.0

30

电荷注入与模拟电压

- 开关阈值（ V）

2.5

Q - 电荷注入（ PC）

25

2.0

20

1.5

15

V+ = 3 V

1.0

10

V

T

0.5

5

0.0

0

1

2

3

4

5

6

7

V + - 电源电压（ V）

0

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

- 模拟电压（ V）

www.vishay.com

4

文档编号： 71971

S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03

DG2015

新产品

测试电路

V+

逻辑

输入

V+

开关

输入

NO或NC

IN

逻辑

输入

GND

0V

C

L

（包括网络连接夹具和杂散电容）

V

OUT

+

V

COM

R

L

R

L

)

R

ON

逻辑“1” =开关开

逻辑输入波形倒置具有开关

相反的逻辑感。

R

L

300

W

C

L

35 pF的

COM

开关输出

V

OUT

0.9× V

OUT

开关

产量

0V

t

ON

t

关闭

V

INH

50%

V

INL

Vishay Siliconix公司

t

r

t

5纳秒

t

f

t

5纳秒

图1 。

开关时间

V+

逻辑

输入

COM

V

O

R

L

300

W

C

L

35 pF的

V

INH

V

INL

t

r

小于5纳秒

t

f

小于5纳秒

V+

V

NO

V

NC

NO

NC

IN

GND

V

NC

= V

NO

V

O

开关

0V

产量

90%

t

D

t

D

C

L

（包括网络连接夹具和杂散电容）

图2中。

突破前先间隔

V+

R

根

+

V

根

V

IN

= 0 - V+

V+

COM

IN

GND

NC或NO

V

OUT

V

OUT

IN

C

L

= 1 nF的

On

DV

OUT

关闭

Q =

DV

OUT

乘C

L

On

在依赖于交换机配置：输入极性

通过开关的意识决定的。

网络连接gure 3 。

电荷注入

文档编号： 71971

S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03

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5

DG2015

新产品

Vishay Siliconix公司

低电压，低R

ON

，双路DPDT模拟开关

特点

D

D

D

D

低工作电压（ 2.7 V至3.3 V ）

低导通电阻 - R的

ON：

0.85

W

3分贝损失@ 100 MHz的

快速切换：

t

ON

= 40 ns的

t

关闭

= 35 ns的

D

QFN -16封装

好处

D

D

D

D

D

降低功耗

精度高

减少电路板空间

TTL / 1.8 -V逻辑兼容

高带宽

应用

D

D

D

D

D

手机

音箱耳麦开关

音频和视频信号路由

PCMCIA卡

电池供电系统

描述

该DG2015是双路双刀/双掷单片

CMOS模拟开关设计的高性能开关

的模拟信号。结合低功耗，高速，低

导通电阻和小的物理尺寸， DG2015是理想的

便携式和电池需要高供电应用

性能和高效利用的电路板空间。

该DG2015采用Vishay Siliconix公司的低电压JI2过程。

外延层可以防止闭锁。突破前先为

保证。

该交换机进行同样在两个方向上时，

并阻止了电源电平的时候了。

功能框图及引脚配置

DG2015

QFN- 16（4 ×4）

NC1 COM1 GND COM4

16

15

14

13

真值表

逻辑

0

12

11

10

9

NC4

NO4

NC1 ，2，3和4中

ON

关闭

NO1 ，2，3和4中

关闭

ON

NO1

INA

NO2

NC2

1

2

3

4

1

订购信息

INB

温度范围

NO3

-40到85°C

包

16引脚QFN （4 ×4mm）所

产品型号

DG2015DN

5

COM2

6

V+

7

8

COM3 NC3

顶视图

文档编号： 71971

S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03

www.vishay.com

1

DG2015

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

参考GND

V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V

IN， COM ，NC ， NO

a

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到（V + + 0.3V）

电流（除NO，NC或COM不限终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

连续电流（ NO ， NC或COM ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

"150

mA

峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

"200

mA

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃

包装回流焊条件

d

16引脚QFN （4×4毫米）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃

功率耗散（包）

b

QFN-16

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1880毫瓦

注意事项：

一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间

最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免23.5毫瓦/ _C以上70_C

。手工焊接铁，不建议无引线元件。

该QFN是一种无引线封装。引线端子的端部露出

铜（未镀），为在manufactur-单片化处理的结果

ING 。焊料圆角处露铜唇不能得到保证，并

不要求保证足够的底侧的焊料互连。

新产品

规格（ V + = 3V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

r

ON

MATCH

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

Dr

ON

I

否（关）

,

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

I

COM（上）

V+ = 2.7 V, V

COM

= 0.2 V / 1.5 V，I

NO

, I

NC

= 100毫安

V+ = 2.7 V

V

COM

= 0至V + I

NO

, I

NC

= 100毫安

V+,

满

房间

满

房间

房间

房间

满

房间

满

房间

满

-1

- 10

-1

- 10

-1

- 10

0

0.85

V+

1.6

1.7

W

V

范围

- 4085 ℃下

符号

V+ = 3 V,

"10%,

V

IN

= 0.4或2.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

0.16

0.15

1

10

1

10

1

10

关机漏电流

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= 1 V/3 V

V

COM

= 3 V/1 V

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 1 V/3 V

nA

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

满

满

满

V

IN

= 0或V +的

满

2

0.4

4

-1

1

V

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

N

O

, N

C

关断电容

d

通道上

通道导通电容

d

t

ON

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

数控（ON）的

V

IN

= 0或V + F = 1 MHz的

V+,

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

C

L

= 5 pF的F = 1 MHz的

W,

PF，

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 300

W,

C

L

= 35 pF的

房间

满

房间

满

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

1

40

35

3

7

- 67

- 70

63

67

200

196

pF

dB

pC

65

67

60

62

ns

www.vishay.com

2

文档编号： 71971

S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03

DG2015

新产品

规格（ V + = 3V）

测试条件

否则，除非指定

参数

电源

电源电压范围

电源电流

耗电量

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

f.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

5 -V泄漏检测保证，未经生产测试。

V+

I+

P

C

V

IN

= 0或V +的

满

满

2.7

3.3

1.0

3.3

V

mA

mW

Vishay Siliconix公司

范围

- 4085 ℃下

符号

V+ = 3 V,

"10%,

V

IN

= 0.4或2.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

ON

与V

COM

与电源电压

2.5

中T = 25℃

I

S

= 100毫安

r

ON

- 导通电阻（

W

)

2.5

I

S

= 100毫安

2.0

V+ = 3 V

85_C

1.5

25_C

- 40_C

r

ON

与模拟电压和温度

2.0

r

ON

- 导通电阻（

W

)

1.5

V+ = 3.0 V,

1.0

1.0

0.5

0.5

0.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

V

COM

- 模拟电压（ V）

V

COM

- 模拟电压（ V）

电源电流与温度的关系

100

V+ = 3 V

V

IN

= 0 V

I + - 电源电流（ NA）

10

I + - 电源电流（ A）

10毫安

1毫安

100

mA

10

mA

1

mA

100 nA的

10 nA的

1 nA的

0.1

- 60

100 pA的

- 40

- 20

0

20

40

60

80

100

电源电流与输入开关频率

V+ = 3 V

1

10

100

1K

10 K

100 K

1M

10 M

温度（℃）

文档编号： 71971

S- 03423 -REV 。 B， 03 -MAR -03

输入开关频率（Hz ）

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3

DG2015

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

漏电流与温度的关系

1000

V+ = 3 V

800

600

400

200

0

- 200

- 400

- 600

1

- 60

- 800

0.0

I

否（关）

, II

NC （关闭）

I

COM（上）

V+ = 3 V

I

COM （关闭）

泄漏与模拟电压

漏电流（PA ）

漏电流（PA ）

100

I

COM（上）

I

COM （关闭）

10

I

否（关）

, II

NC （关闭）

- 40

- 20

0

20

40

60

80

100

漏电流（PA ）

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

温度（℃）

V

COM

, V

NO

, V

NC

- 模拟电压（ V）

开关时间与温度的关系

60

10

插入损耗，关断隔离

串扰与频率

t

ON

/ t

关闭

- 开关时间（

m

s)

- 10

损失， OIRR ，X

TALK

（ dB）的

50

损失

- 30

40

t

ON

V+ = 3 V

- 50

OIRR

- 70

X

TALK

V+ = 3 V

R

L

= 50

W

30

t

关闭

V+ = 3 V

20

- 60

- 90

- 40

- 20

0

20

40

60

80

100

100 K

1M

10 M

频率（Hz）

100 M

1G

温度（℃）

开关阈值与电源电压

3.0

30

电荷注入与模拟电压

- 开关阈值（ V）

2.5

Q - 电荷注入（ PC）

25

2.0

20

1.5

15

V+ = 3 V

1.0

10

V

T

0.5

5

0.0

0

1

2

3

4

5

6

7

V + - 电源电压（ V）

0

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

- 模拟电压（ V）

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4

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新产品

测试电路

V+

逻辑

输入

V+

开关

输入

NO或NC

IN

逻辑

输入

GND

0V

C

L

（包括网络连接夹具和杂散电容）

V

OUT

+

V

COM

R

L

R

L

)

R

ON

逻辑“1” =开关开

逻辑输入波形倒置具有开关

相反的逻辑感。

R

L

300

W

C

L

35 pF的

COM

开关输出

V

OUT

0.9× V

OUT

开关

产量

0V

t

ON

t

关闭

V

INH

50%

V

INL

Vishay Siliconix公司

t

r

t

5纳秒

t

f

t

5纳秒

图1 。

开关时间

V+

逻辑

输入

COM

V

O

R

L

300

W

C

L

35 pF的

V

INH

V

INL

t

r

小于5纳秒

t

f

小于5纳秒

V+

V

NO

V

NC

NO

NC

IN

GND

V

NC

= V

NO

V

O

开关

0V

产量

90%

t

D

t

D

C

L

（包括网络连接夹具和杂散电容）

图2中。

突破前先间隔

V+

R

根

+

V

根

V

IN

= 0 - V+

V+

COM

IN

GND

NC或NO

V

OUT

V

OUT

IN

C

L

= 1 nF的

On

DV

OUT

关闭

Q =

DV

OUT

乘C

L

On

在依赖于交换机配置：输入极性

通过开关的意识决定的。

网络连接gure 3 。

电荷注入

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