FDS6986S
典型特征
（续）
本节从FDS6984S数据复制
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入一个肖特基二极管
用的PowerTrench MOSFET并联。该二极管的展品
相似的特性的离散外部肖特基
二极管与MOSFET并联。图22显示了
该FDS6986S的反向恢复特性。
肖特基势垒二极管具有显著泄漏高
温度和高的反向电压。这将增加
在该装置的功率。
I
DSS
，反向漏电流（ A）
0.1
125
o
C
0.01
0.001
3A/DIV
0.0001
25 C
o
0.00001
0
10
20
30
V
DS
，反向电压（V）的
10nS/DIV
图24. SyncFET体二极管的反向
漏与漏 - 源电压和
温度。
图22. FDS6986S SyncFET体二极管
的反向恢复特性。
为了便于比较，图23显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDS6690A).
3A/DIV
0V
10nS/DIV
图23.非SyncFET （ FDS6690A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDS6986S冯C1 （ W）
