FDS6986S
2002年9月
FDS6986S
双笔记本电源n沟道PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6986S被设计来取代两个单SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC
电源，可提供各种外围电压
用于笔记本电脑和其它电池供电
电子设备。 FDS6986S包含了两个独特的
30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench MOSFET的
旨在最大限度地提高功率转换效率。
高侧开关（Q1）被设计具有特定
强调减少开关损耗，而低
侧开关（Q2 ）被优化，以减少传导
损失。 Q2还包括一个集成的肖特基二极管
利用飞兆半导体的整体SyncFET技术。
特点
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基体二极管
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5V
Q1:
优化的低开关损耗
低栅极电荷（ 6.5 NC典型值）
R
DS （ ON）
= 29毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 38毫欧@ V
GS
= 4.5V
7.9A ， 30V
6.5A ， 30V
D
1
/S
D2
1
/S
D2
D1
D
D
5
6
7
Q2
4
3
D
D1
Q1
2
1
SO-8
G
S1
销1
SO-8
S
S
S
G
S2
1
2
/D
G
8
2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
（注1A ）
Q1
30
±16
6.5
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
±20
7.9
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6986S
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6986S
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS6986S冯C1 （ W）
电气特性
符号
I
S
t
RR
Q
RR
V
SD
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
键入敏
Q2
Q1
Q2
Q2
Q1
典型值
最大单位
3.0
1.3
A
ns
nC
0.7
1.2
V
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 10 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
17
12.5
0.5
0.74
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
漏源二极管正向V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
电压
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
2
在垫0.02
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6986S冯C1 （ W）
FDS6986S
2002年9月
FDS6986S
双笔记本电源n沟道PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6986S被设计来取代两个单SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC
电源，可提供各种外围电压
用于笔记本电脑和其它电池供电
电子设备。 FDS6986S包含了两个独特的
30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench MOSFET的
旨在最大限度地提高功率转换效率。
高侧开关（Q1）被设计具有特定
强调减少开关损耗，而低
侧开关（Q2 ）被优化，以减少传导
损失。 Q2还包括一个集成的肖特基二极管
利用飞兆半导体的整体SyncFET技术。
特点
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基体二极管
R
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5V
Q1:
优化的低开关损耗
低栅极电荷（ 6.5 NC典型值）
R
DS （ ON）
= 29毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 38毫欧@ V
GS
= 4.5V
7.9A ， 30V
6.5A ， 30V
D
1
/S
D2
1
/S
D2
D1
D
D
5
6
7
Q2
4
3
D
D1
Q1
2
1
SO-8
G
S1
销1
SO-8
S
S
S
G
S2
1
2
/D
G
8
2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
（注1A ）
Q1
30
±16
6.5
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
±20
7.9
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6986S
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6986S
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS6986S冯C1 （ W）
电气特性
符号
I
S
t
RR
Q
RR
V
SD
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
键入敏
Q2
Q1
Q2
Q2
Q1
典型值
最大单位
3.0
1.3
A
ns
nC
0.7
1.2
V
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 10 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
17
12.5
0.5
0.74
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
漏源二极管正向V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
电压
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
2
在垫0.02
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6986S冯C1 （ W）
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