FDS6986S
典型特征Q1
20
4.5V
3.5V
3.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
15
2.25
2
V
GS
= 3.0V
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
I
D
，漏电流（ A）
15
20
10
3.5V
4.5V
6.0V
10V
5
2.5V
0
V
DS
，漏源电压（V ）
图11.在区域特征。
图12.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.075
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
I
D
= 6.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 3.3 A
0.065
0.055
T
A
= 125
o
C
0.045
0.035
T
A
= 25
o
C
0.025
125
150
0.015
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
T
J
，结温（ C）
图13.导通电阻变化与
温度。
20
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
16
125
o
C
12
T
A
= -55 C
25
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
o
图14.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
8
4
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图15.传输特性。
图16.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6986S冯C1 （ W）
