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CY8C27x43最终数据手册
3.电气规格
表3-13 。硅版本A - 3.3V DC模拟参考规格
符号
描述
典型值
最大
单位
BG
带隙基准电压源
AGND =
Vdd/2
a
AGND = 2×隙
a
AGND = P [4] (P2 [4] = VDD / 2)
AGND =
带隙
a
AGND = 1.6×隙
a
AGND座布洛克变化( AGND = VDD / 2 )
a
REFHI = VDD / 2 +隙
REFHI = 3×隙
REFHI = 2×隙+ P [6]( P 2 [6] = 0.5V )
REFHI = P [4] +带隙(P 2 [4] = VDD / 2)
REFHI = P [4] + P [6] (P 2 [4] = VDD / 2 ,P 2 [6] = 0.5V )
REFHI = 3.2×隙
REFLO = VDD / 2 - 能带隙
REFLO =带隙
RefLo的= 2×隙 - P 2 [6]( P 2 [6] = 0.5V )
REFLO = P [4] - 的带隙(P 2 [4] = VDD / 2)
REFLO = P [4] -P2 [6] (P 2 [4] = VDD / 2 ,P 2 [6] = 0.5V )
1.274
VDD / 2 - 0.027
不允许
P2[4] - 0.008
BG - 0.009
1.6× BG - 0.018
-0.034
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4] + P2[6] - 0.075
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4] - P2[6] - 0.048
1.30
VDD / 2 - 0.003
1.326
的Vdd / 2 + 0.002
V
V
P2[4] + 0.001
BG
1.6× BG
0.000
P2[4] + 0.009
BG + 0.009
1.6× BG + 0.018
0.034
V
V
V
mV
P2[4] + P2[6] - 0.009
P2[4] + P2[6] + 0.057
V
P2[4] - P2[6] + 0.022
P2[4] - P2[6] + 0.092
V
一。 AGND宽容包含在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。
参见应用笔记AN2012 “调整PSoC微控制器修剪为双电压范围运行”的信息,在3.3V下的修整操作。
表3-14 。硅版本B - 3.3V DC模拟参考规格
符号
描述
典型值
最大
单位
BG
带隙基准电压源
AGND = VDD / 2
a
AGND = 2×隙
a
AGND = P [4] (P2 [4] = VDD / 2)
AGND =带隙
a
AGND = 1.6×隙
a
AGND座布洛克变化( AGND = VDD / 2 )
a
REFHI = VDD / 2 +隙
REFHI = 3×隙
REFHI = 2×隙+ P [6]( P 2 [6] = 0.5V )
REFHI = P [4] +带隙(P 2 [4] = VDD / 2)
REFHI = P [4] + P [6] (P 2 [4] = VDD / 2 ,P 2 [6] = 0.5V )
REFHI = 3.2×隙
REFLO = VDD / 2 - 能带隙
REFLO =带隙
RefLo的= 2×隙 - P 2 [6]( P 2 [6] = 0.5V )
REFLO = P [4] - 的带隙(P 2 [4] = VDD / 2)
REFLO = P [4] -P2 [6] (P 2 [4] = VDD / 2 ,P 2 [6] = 0.5V )
1.28
VDD / 2 - 0.027
不允许
P2[4] - 0.008
BG - 0.009
1.6× BG - 0.018
-0.034
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4] + P2[6] - 0.06
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4] - P2[6] - 0.048
1.30
Vdd/2
1.32
VDD / 2 + 0.005
V
V
P2[4]
BG
1.6× BG
0.000
P2[4] + 0.009
BG + 0.009
1.6× BG + 0.018
0.034
V
V
V
mV
P2[4] + P2[6] - 0.01
P2[4] + P2[6] + 0.057
V
P2[4] - P2[6] + 0.01
P2[4] - P2[6] + 0.048
V
一。 AGND宽容包含在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。
参见应用笔记AN2012 “调整PSoC微控制器修剪为双电压范围运行”的信息,在3.3V下的修整操作。
2004年8月3日
文件编号38-12012牧师* I
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