CY8C27x43最终数据手册
3.电气规格
3.3.6
DC模拟参考规格
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40
°
C
≤
T
A
≤
85
°
C，或3.0V至3.6V -40
°
C
≤
T
A
≤
85
°
C，分别。典型参数适用于5V和3.3V的25
°
C和
仅供设计参考。
保证规格值通过模拟连续时间PSoC模块进行测量。的功率电平为AGND指
模拟连续时间PSoC模块的电源。功率电平为REFHI和RefLo的参考模拟参考控制
注册。说的AGND限制包括AGND缓冲区本地模拟连续时间PSoC模块的偏移误差。
参考控制功率高。
表3-11 。硅版本A - 5V DC模拟参考规格
符号
描述
民
典型值
最大
单位
BG
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
带隙基准电压源
AGND = VDD / 2
a
AGND = 2×隙
a
AGND = P [4] （P2 [4] = VDD / 2）
a
AGND =带隙
a
AGND = 1.6×隙
a
AGND座布洛克变化（ AGND = VDD / 2 ）
a
REFHI = VDD / 2 +隙
REFHI = 3×隙
REFHI = 2×隙+ P [6]（ P 2 [6] = 1.3V ）
REFHI = P [4] +带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFHI = P [4] + P [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 1.3V ）
REFHI = 3.2×隙
REFLO = VDD / 2 - 能带隙
REFLO =带隙
RefLo的= 2×隙 - P 2 [6]（ P 2 [6] = 1.3V ）
REFLO = P [4] - 的带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFLO = P [4] -P2 [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 1.3V ）
1.274
VDD / 2 - 0.030
2个BG - 0.043
P2[4] - 0.013
BG - 0.009
1.6× BG - 0.018
-0.034
1.30
VDD / 2 - 0.004
2个BG - 0.010
P2[4]
BG
1.6× BG
0.000
1.326
VDD / 2 + 0.003
2个BG + 0.024
P2[4] + 0.014
BG + 0.009
1.6× BG + 0.018
0.034
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
VDD
/ 2 + BG - 0.140
3× BG - 0.112
2× BG + P [6] - 0.113
P2 [ 4] + BG - 0.130
P2[4] + P2[6] - 0.133
3.2× BG - 0.112
VDD
/ 2 + BG - 0.018
3× BG - 0.018
2× BG + P [6] - 0.018
P2 [ 4] + BG - 0.016
P2[4] + P2[6] - 0.016
3.2× BG
VDD
/ 2 + BG + 0.103
3× BG + 0.076
2× BG + P [6] + 0.077
P2 [ 4] + BG + 0.098
P2[4] + P2[6] + 0.100
3.2× BG + 0.076
VDD
/ 2 - BG - 0.051
BG - 0.082
2× BG - P 2 [6] - 0.084
P2 [4] - BG - 0.056
P2[4] - P2[6] - 0.057
VDD
/ 2 - BG
+
0.024
BG + 0.023
2× BG - P 2 [6] + 0.025
P2 [4] - 的BG + 0.026
P2[4] - P2[6] + 0.026
VDD
/ 2 - BG + 0.098
BG + 0.129
2× BG - P 2 [6] + 0.134
P2 [4] - 的BG + 0.107
P2[4] - P2[6] + 0.110
一。 AGND宽容包含在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。
表3-12 。硅版本B - 5V直流模拟参考规格
符号
描述
民
典型值
最大
单位
BG
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
带隙基准电压源
AGND =
Vdd/2
a
AGND = 2×隙
a
AGND = P [4] （P2 [4] = VDD / 2）
a
AGND =带隙
a
AGND = 1.6×隙
a
AGND座布洛克变化（ AGND = VDD / 2 ）
a
REFHI = VDD / 2 +隙
REFHI = 3×隙
REFHI = 2×隙+ P [6]（ P 2 [6] = 1.3V ）
REFHI = P [4] +带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFHI = P [4] + P [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 1.3V ）
REFHI = 3.2×隙
REFLO = VDD / 2 - 能带隙
REFLO =带隙
RefLo的= 2×隙 - P 2 [6]（ P 2 [6] = 1.3V ）
REFLO = P [4] - 的带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFLO = P [4] -P2 [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 1.3V ）
1.28
VDD / 2 - 0.030
2个BG - 0.043
P2[4] - 0.011
BG - 0.009
1.6× BG - 0.018
-0.034
1.30
Vdd/2
2个BG
P2[4]
BG
1.6× BG
0.000
1.32
VDD / 2 + 0.007
2个BG + 0.024
P2[4] + 0.011
BG + 0.009
1.6× BG + 0.018
0.034
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
VDD
/ 2 + BG - 0.1
3× BG - 0.06
2× BG + P [6] - 0.06
P2 [ 4] + BG - 0.06
P2[4] + P2[6] - 0.06
3.2× BG - 0.06
VDD
/ 2 + BG - 0.01
3× BG - 0.01
2× BG + P [6] - 0.01
P2 [ 4] + BG - 0.01
P2[4] + P2[6] - 0.01
3.2× BG - 0.01
VDD
/ 2 + BG + 0.1
3× BG + 0.06
2× BG + P [6] +0.06
P2 [ 4] + BG + 0.06
P2[4] + P2[6] + 0.06
3.2× BG + 0.06
VDD
/ 2 - BG - 0.051
BG - 0.06
2× BG - P 2 [6] - 0.04
P2 [4] - BG - 0.056
P2[4] - P2[6] - 0.056
VDD
/ 2 - BG
+
0.01
BG + 0.01
2× BG - P 2 [6] + 0.01
P2 [4] - 的BG + 0.01
P2[4] - P2[6] + 0.01
VDD
/ 2 - BG + 0.06
BG + 0.06
2× BG - P 2 [6] + 0.04
P2 [4] - 的BG + 0.056
P2[4] - P2[6] + 0.056
一。 AGND宽容包含在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。
2004年8月3日
文件编号38-12012牧师* I
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