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DC和AC特性
13.2.8
表114 ：
符号
直流编程规范
直流编程规范
直流编程规范
最低
典型
最大
单位
I
CCP
V
ILP
V
国际水文计划
I
ILP
I
国际水文计划
V
OLV
V
OHV
FL灰
ENPB
FL灰
耳鼻喉科
FL灰
dr
1.
2.
供电电流在编程或验证
输入低电压编程或验证期间
输入高电压编程或验证期间
将电压Vilp施加到P1时，输入电流[ 0 ]或P1 [ 1 ]
在编程或验证
应用VIHP为P1 [ 0 ]或当输入电流
P1 [1]编程或验证期间
编程时输出高电压或
VERIFY
闪存耐久性（每块）
闪存耐久性（总）
2
闪存数据保留（自行车后）
-
-
2.2
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
20
0.8
-
0.2
1.5
1
mA
V
V
mA
mA
输出低电压编程或验证期间 -
V
cc
- 1.0
50,000
1,800,000
10
V
ss
+ 0.75 V
V
cc
-
V
东/西环
每座
东/西环
-
-
岁月
驱动内部下拉电阻。
最多为36× 50000块的读写周期是允许的。这可能会在36x1操作之间取得平衡
每个最大50000次循环，每25000次的最大36x2块，或12500 36x4块的块
每个（等等最大周期，以周期的总数限制为36x50,000并且没有单个块过
看到超过50000次循环） 。
PSoC器件的CY8C25xxx / 26xxx系列采用自适应算法，以增强耐力比行业
试验温度范围（-40 ° C至+ 85 °C的环境） 。在0 ℃，并于50℃的范围的任何温度范围
85 ℃下被认为是恒定的相对于耐力的增强。例如，如果常温（25 ℃）下
是标称工作温度，则该范围从0℃到50℃可通过恒定值来近似
25 ，也不需要一个温度传感器。
对于全工业范围，用户必须采用温度传感器用户模块（ FlashTemp），并喂
写之前产生的温度参数。请参考闪存API应用笔记AN2015在http ： //
www.cypressmicro.com下支持或了解更多信息，主动设计支持。
2002年9月5日
文件编号： 38-12010 CY修订版** CMS版本3.20
135
