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赛普拉斯微系统CY8C25122 / CY8C26233 / CY8C26443 / CY8C26643系列数据手册
表112 ：
符号
3.3V DC模拟参考规格
3.3V DC模拟参考规格
最低
典型
最大
单位
AGND = VCC / 2
1
CT座偏压=高
AGND = 2 *带隙
1
CT座偏压=高
AGND = P [4]（ P2 [ 4 ] = VCC / 2 ）
CT座偏压=高
AGND色谱柱的变化（ AGND = VCC /
2)
1
CT座偏压=高
REFHI = VCC / 2 +隙
参考文献控制偏压=高
REFHI = 3 *带隙
参考文献控制偏压=高
REFHI = 2 *带隙+ P [6]（ P 2 [6] = 0.5V ）
参考文献控制偏压=高
REFHI = P [4] +带隙（P 2 [4 ] = VCC / 2 ）
参考文献控制偏压=高
REFHI = P [4] + P [6]（ P2 [ 4 ] = VCC / 2 ，P 2 [6] =
0.5V)
参考文献控制偏压=高
REFLO = VCC / 2 - 能带隙
参考文献控制偏压=高
REFLO =带隙
参考文献控制偏压=高
REFLO = 2 *带隙 - P 2 [6]（ P 2 [6] = 0.5V ）
参考文献控制偏压=高
REFLO = P [4] - 的带隙（P 2 [4 ] = VCC / 2 ）
参考文献控制偏压=高
REFLO = P [4] -P2 [6]（ P2 [ 4 ] = VCC / 2 ，P 2 [6] =
0.5V)
参考文献控制偏压=高
1.
VCC / 2 - 0.007
VCC / 2 - 0.003
的Vcc / 2 + 0.002
V
不允许
P24 - 0.008
-0.034
P24 + 0.001
0.000
P24 + 0.009
0.034
V
mV
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4]+P2[6] -
0.075
P2[4]+P2[6] -
0.009
P2[4]+P2[6]+
0.057
V
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4]-P2[6] -
0.048
P24-P26 +
0.022
P2[4]-P2[6] +
0.092
V
AGND宽容包含在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。带隙电压为1.3V ±2％
13.2.7
模拟模块的直流规格
< = T
A
< = 85°C 。典型参数适用于3.3V和5V
在25
°
C和仅作为设计指导。
下表列出了许可的最大和微型
妈妈规格包括电压范围， 5V +/-
5％， 3.3V ±10％，温度范围为-40
°
C
表113 ：
符号
模拟模块的直流规格
模拟模块的直流规格
最低
典型
最大
单位
电阻的单位值（连续时间）
电容器单元值（开关电容）
-
-
45
70
-
-
K
fF
134
文件编号： 38-12010 CY修订版** CMS版本3.20
2002年9月5日
