CS5101A CS5102A
+200
+V
ee
内部计费误差（ LSB的）
+100
0
-100
-200
-300
粗充电
细充电
V
REF
10
F
0.01
F
20 Vref的
21 REFBUF
0.1F
23 VA-
R*
CS5101A
OR
CS5102A
-5V
R =
1
2π (C
1
+ C
2
) f
PEAK
-400
8 MHz时钟0.25
2.0 MHz的时钟
1.0
0.5
2.0
采集时间（我们）
0.75
3.0
1.0
4.0
图9.参考连接
图10.充电稳定时间
（ 8和2.0 MHz的时钟）
ENCE必须提供的最大负载电流
5
的峰 - 峰（0.5
一个典型的） 。输出
2阻抗
因此，将产生一个最强
10.0妈咪错误
V.
与4.5 V基准电压和
138 LSB大小
V
这将保证近似
三方共同1/14 LSB精度。 10
F的电容
显示出小于2的阻抗
在频
quencies大于16千赫。高品质
钽电容器并联以较小的胶结
RAMIC电容建议。
峰值在参考的输出阻抗
发生的原因的电容性负载在其输出端。
可能发生的问题可以通过减小任何峰
将串联一个小电阻与电容
器。在图9中的公式可用于帮助
计算特定R的最佳值
参考。术语"f
PEAK
"是频率
在参考的输出阻抗的峰值
之前的电阻被添加。
该CS5101A和CS5102A可以与操作
宽范围的基准电压，而是信号对
噪声性能是通过使用作为最大化
宽的信号范围内成为可能。时建议
谁料参考电压为4.5伏。该
CS5101A及CS5102A其实可以接受REF-
erence电压高达正模拟电源。
然而，缓冲器的偏移可能会随着
DS45F2
参考电压接近VA + ，从而IN-
压痕在VREF外部驱动器的要求。一
4.5V基准是最大的参考电压
推荐使用。这使得0.5V的裕量
内部基准电压缓冲器。另外，缓冲烯
列出的外部0.1的帮助
F的陶瓷
电容必须输出之间的捆绑，
REFBUF ，负模拟电源， VA- 。
有关引用的更多信息，请"Ap-
折叠术注意事项：
电压基准的
CS501X系列的A / D Converters" 。
模拟输入连接
的模拟输入端的功能类似于
每次转换时后VREF输入
切换到轨迹模式。在第一
在跟踪模式下6个主时钟周期，则
模拟输入的缓冲版本被用于
粗充电的电容器阵列。另外一个
需要直接从细充电期间
AIN获得指定的精度。图10
示出了该操作。在粗负责
电荷的电容器阵列上的第一沉降到
缓存版本的模拟输入。该电压
可以从实际的输入电压失调。能很好地协同
荷兰国际集团精充，充电，然后稳定到
精确的无缓冲的版本。
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