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特定网络阳离子HS- 82C37ARH
表2. AC电气性能特性（续）
VCC = 5V +
±10%,
GND = 0V ， AC的测试，在最坏情况VDD ，保证在整个工作范围内。
范围
参数
符号
（注1,2 ）
条件
温度
小组
民
最大
单位
外围设备（ SLAVE ）模式（续）
ADR或CS从IOR高位套牢
TIRHAX
VDD = 4.5V
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
9, 10, 11
0
-
ns
从IOR数据访问
TIRLDV
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
150
ns
复位到第一IOW或IOR
TRSLIRWL
VDD = 4.5V
9, 10, 11
2TCLCL
-
ns
复位脉冲宽度
TRSHRSL
VDD = 4.5V
9, 10, 11
300
-
IOR宽度
TIRLIRH
VDD = 4.5V
9, 10, 11
200
-
ns
ADR或CS高从IOW
高保持时间
从IOW高数据保持时间
tIWHAX
VDD = 4.5V
9, 10, 11
0
-
ns
tIWHDX
VDD = 4.5V
9, 10, 11
10
-
ns
IOW宽度
tIWLIWH
VDD = 4.5V
9, 10, 11
150
-
ns
注意事项：
1.阅读指的是IOR和MEMR ，写指的是IOW和MEMW ，内存与I / O和I / O存储器传输过程
2.交流的，在最坏情况VDD测试，但保证在整个工作范围内
表3.电气性能特性
范围
参数
输入电容
符号
CIN
条件
VDD =开， F = 1MHz时，
所有的测量为参考
转制到设备接地。
VDD =开， F = 1MHz时，
所有的测量为参考
转制到设备接地。
VDD =开， F = 1MHz时，
所有的测量为参考
转制到设备接地。
VDD = 4.5V和5.5V
VDD = 4.5V和5.5V
VDD = 4.5V和5.5V
VDD = 4.5V和5.5V
VDD = 4.5V和5.5V
温度
T
A
= +25
o
C
民
-
最大
15
单位
pF
输出电容
COUT
T
A
= +25
o
C
-
15
pF
I / O容量
CI / O
T
A
= +25
o
C
-
20
pF
ADR主动到浮动延迟从CLK高
读或写的浮动延迟从CLK
高
DB主动到浮动延迟从CLK高
DB浮法延迟从IOR高
电源HIGH到LOW复位
建立时间
TCHAZ
TCHRWZ
TCHDZ
TIRHDZ
TPHRSL
-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C
-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C
-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C
-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C
-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C
-
-
-
10
500
90
120
170
85
-
ns
ns
ns
ns
ns
注：在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的，并且不直接测试。这些参数是
其特征在初始设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
规格编号
8
518058
