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特定网络阳离子HS- 82C37ARH
表2. AC电性能等特点
VCC = 5V +
±10%,
GND = 0V ， AC的测试，在最坏情况VDD ，保证在整个工作范围内。
范围
参数
DMA （主）模式
AEN高从CLK低电平（S1）
延迟时间
TCLAEH
VDD = 4.5V
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
9, 10, 11
175
ns
符号
（注1,2 ）
条件
温度
小组
民
最大
单位
DMA （主）模式（续）
AEN低，从CLK高（ SI ）
延迟时间
从读高位保持ADR
时间
DB从ADSTB保持低
时间
从WRITE为高的保持ADR
时间
DACK有效期从CLK低
延迟时间
EOP HIGH从CLK高
延迟时间
EOP LOW从CLK高
延迟时间
ADR稳定的CLK高
TCHAEL
VDD = 4.5V
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
9, 10, 11
-
130
ns
TRHAX
VDD = 4.5V
9, 10, 11
TCLCL-
100
TCLCH-
18
TCLCL-
50
-
-
ns
TSLDZ
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
ns
tWHAX ALE低
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
ns
TCLDAV
VDD = 4.5V
9, 10, 11
170
ns
TCHIPH
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
170
ns
TCHIPL
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
100
ns
tCHAV
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
110
ns
DB到ADSTB LOW建立时间
tDVSL
VDD = 4.5V
9, 10, 11
TCHCL
+10
70
-
ns
时钟高电平时间
（转换为10ns ）
时钟低电平时间
（转换为10ns ）
CLK周期时间
TCHCL
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
ns
TCLCH
VDD = 4.5V
9, 10, 11
50
-
ns
TCLCL
VDD = 4.5V
9, 10, 11
200
-
ns
CLK高读取或写入
低延迟
读取CLK高高
（ S4 ）延迟时间
从CLK高写入高
（ S4 ）延迟时间
HRQ有效期从CLK高
延迟时间
EOP低到CLK低设置
时间
EOP脉宽
TCHRWL
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
190
ns
tCHRH
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
190
ns
tchwh
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
130
ns
TCHRQV
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
120
ns
TEPLCL
VDD = 4.5V
9, 10, 11
40
-
ns
TEPLEPH
VDD = 4.5V
9, 10, 11
220
-
ns
读或写从Active
CLK高
TCHRWV
VDD = 4.5V
9, 10, 11
-
150
ns
规格编号
6
518058
