公元前846 ...公元前850
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
CB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846一公元前... 848一
公元前846 B ...公元前850 B
公元前847 ...公元前850℃
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846一公元前... 848一
公元前846 B ...公元前850 B
公元前847 ...公元前850℃
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846一公元前... 848一
公元前846 B ...公元前850 B
公元前847 ...公元前850℃
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前846一公元前... 848一
公元前846 B ...公元前850 B
公元前847 ...公元前850℃
噪声系数
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 30 Hz的... 15千赫
公元前849
公元前850
公元前849
f
= 1千赫，
f
= 200赫兹
公元前850
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 10赫兹... 50赫兹
公元前850
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
–
–
–
h
12e
–
–
–
h
21e
–
–
–
h
22e
–
–
–
F
–
–
–
–
V
n
–
1.4
1.4
1.2
1.0
–
4
3
4
4
0.135
V
值
典型值。
马克斯。
单位
–
–
–
250
3
8
–
–
–
兆赫
pF
k
2.7
4.5
8.7
–
–
–
10
– 4
1.5
2.0
3.0
–
–
–
–
200
330
600
–
–
–
S
18
30
60
–
–
–
dB
半导体集团
4
