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指数
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IR2111
设备信息
处理&设计规则
晶体管数量
模具尺寸
模具大纲
HVDCMOS 4.0微米
164
70 X 96 X 26 （万）
栅氧化层厚度
连接
第一次
层
第二
层
接触孔尺寸
保温层
钝化
锯的方法
固晶法
引线键合
引线框架
材料
宽度
间距
厚度
材料
宽度
间距
厚度
材料
厚度
材料
厚度
包
备注：
法
材料
材料
死区
铅电镀
类型
物料
800
多晶硅
4 m
6 m
5000
铝 - 硅（SI ： 1.0 ％ ± 0.1 ％ ）
6 m
9 m
20,000
8微米×8微米
PSG （SIO
2
)
1.5 m
PSG （SIO
2
)
1.5 m
全切
ABLEBOND 84 - 1
温索尼克
金（ 1.0密耳/ 1.3密耳）
Cu
Ag
铅：锡（ 37 ： 63 ）
8引脚PDIP / SO- 8
EME6300 / MP150 / MP190
TO ORDER
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS “
M
ANUAL
B-43
