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数据表号PD- 6.028C
IR2111
半桥驱动器
特点
n
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
n
栅极驱动电压范围为10 20V
n
欠压锁定两个通道
n
CMOS施密特触发与下拉输入
n
匹配的传播延迟为两个通道
n
内部设置死区时间
n
高侧输出的同相输入
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
死区时间（典型值）。
600V最大。
200毫安/ 420毫安
10 - 20V
850 & 150纳秒
700纳秒
描述
该IR2111是一种高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖性高，
低侧参考输出通道设计
半桥应用。专有的HVIC和锁存器
免疫CMOS技术使加固
单片式结构。逻辑输入兼容
与标准CMOS输出。输出驱动器
具有高脉冲电流缓冲级，
最小驱动器跨导。国内
设置死区时间，以避免直通的
输出的半桥。浮置沟道可以用于
以驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT
它的工作频率高达偏高的配置
600伏。
套餐
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
IN
V
B
HO
V
S
TO
负载
IN
COM
LO
TO ORDER
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS
M
ANUAL
B-39
