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指数
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数据表号PD- 6.065
IR2110E6
高端和低端驱动器
特点
n
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
n
栅极驱动电压范围为10 20V
n
欠压锁定两个通道
n
独立的逻辑电源电压范围为5 20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
n
CMOS施密特触发与下拉输入
n
逐周期边沿触发关断逻辑
n
匹配的传播延迟为两个通道
n
同相输入输出
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
延迟匹配
600V最大。
2A / 2A
10 - 20V
120 & 94纳秒
10纳秒
描述
该IR2110E6是一个高电压，高速
功率MOSFET和IGBT驱动器，带有独立
高，低侧参考输出通道。亲
专有的HVIC和锁存免疫CMOS技
吉斯使坚固耐用的单片式结构。
逻辑输入与标准CMOS或兼容
LSTTL输出。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最低
驱动器跨导。传输延迟
相匹配，以简化在高频用途的应用
系统蒸发散。浮置沟道，可以用来驱动一个
在高侧N通道功率MOSFET或IGBT
配置该工作频率高达600伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数是绝对的
电压参考COM 。热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。附加信息被显示在图28 35 。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
R
thJA
T
j
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许偏移电源电压瞬态（图16 ）
包装功耗@ T
A
≤
= 25 ° C（图19 ）
热阻，结到环境
结温
储存温度
包安装表面温度
重量
分钟。
马克斯。
单位
TO ORDER
-0.5
V
S
+ 20
—
600
V
S
-0.5
V
B
+ 0.5
-0.5
20
-0.5
V
CC
+ 0.5
-0.5
V
SS
+ 20
V
CC
- 20
V
CC
+ 0.5
V
SS
- 0.5
V
DD
+ 0.5
—
50
—
1.6
—
75
-55
125
-55
150
300（ 5秒）
0.45 （典型值）
V
V / ns的
W
° C / W
°C
g
