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指数
下一页数据表
数据表号PD- 6.065
IR2110E6
高端和低端驱动器
特点
n
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
n
栅极驱动电压范围为10 20V
n
欠压锁定两个通道
n
独立的逻辑电源电压范围为5 20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
n
CMOS施密特触发与下拉输入
n
逐周期边沿触发关断逻辑
n
匹配的传播延迟为两个通道
n
同相输入输出
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
(典型值)。
延迟匹配
600V最大。
2A / 2A
10 - 20V
120 & 94纳秒
10纳秒
描述
该IR2110E6是一个高电压,高速
功率MOSFET和IGBT驱动器,带有独立
高,低侧参考输出通道。亲
专有的HVIC和锁存免疫CMOS技
吉斯使坚固耐用的单片式结构。
逻辑输入与标准CMOS或兼容
LSTTL输出。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级,最低
驱动器跨导。传输延迟
相匹配,以简化在高频用途的应用
系统蒸发散。浮置沟道,可以用来驱动一个
在高侧N通道功率MOSFET或IGBT
配置该工作频率高达600伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有电压参数是绝对的
电压参考COM 。热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。附加信息被显示在图28 35 。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
R
thJA
T
j
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压( HIN , LIN & SD )
允许偏移电源电压瞬态(图16 )
包装功耗@ T
A
= 25 ° C(图19 )
热阻,结到环境
结温
储存温度
包安装表面温度
重量
分钟。
马克斯。
单位
TO ORDER
-0.5
V
S
+ 20
600
V
S
-0.5
V
B
+ 0.5
-0.5
20
-0.5
V
CC
+ 0.5
-0.5
V
SS
+ 20
V
CC
- 20
V
CC
+ 0.5
V
SS
- 0.5
V
DD
+ 0.5
50
1.6
75
-55
125
-55
150
300( 5秒)
0.45 (典型值)
V
V / ns的
W
° C / W
°C
g
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR2110E6
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在VS和VSS抵消收视率进行了测试与所有供应偏置在15V的差分。典型
在其他的偏置条件的评分示于图36和37 。
符号
VB
VS
VHO
VCC
VLO
VDD
VSS
VIN
参数
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压( HIN , LIN & SD )
分钟。
VS + 10
-4
VS
10
0
VSS + 5
-5
VSS
马克斯。
VS + 20
600
VB
20
VCC
VSS + 20
5
VDD
单位
V
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
) = 15V ,而V
SS
= COM ,除非另有规定。动态电
特征是使用在图3所示的测试电路进行测量。
TJ = 25°C
符号参数
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
Mt
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
TJ = -55
125°C
单位
测试条件
V
S
= 0V
V
S
= 600V
V
S
= 600V
C
L
= 1000pF的
C
L
= 1000pF的
Ht
on
-LT
on
/
Ht
关闭
-LT
关闭
260
220
235
50
40
典型值。马克斯。分钟。最大
120
94
110
25
17
150
125
140
35
25
10
ns
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
高达500V
高达600V
TO
负载
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR2110E6
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
) = 15V ,除非另有规定。在V
IN
, V
TH
IN
参数是参考V
SS
适用于所有的三个逻辑输入导线: HIN , LIN和SD 。在V
O
O
参数参考COM并
适用于各自的输出引线: HO或LO 。
TJ = 25°C
符号参数
V
IH
逻辑“1”的输入电压
3.1
6.4
9.5
12.6
7.5
7.0
7.4
7.0
2
2
TJ = -55
125°C
测试条件
V
DD
= 5V
V
DD
= 10V
V
DD
= 15V
V
DD
= 20V
V
DD
= 5V
V
DD
= 10V
V
DD
= 15V
V
DD
= 20
V
IN
= V
IH
, I
O
= 0A
V
IN
= V
IL
, I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
典型值。马克斯。分钟。最大单位
0.7
125
180
5
15
8.6
8.2
8.5
8.2
1.8
3.8
6
8.3
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1
9.7
9.4
9.6
9.4
3.3
6.8
10
13.3
1.7
3.6
5.7
7.9
1.5
0.1
250
500
600
60
70
10
A
V
V
V
V
IL
逻辑“0”输入电压
W
V
V
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压, VO
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
A
V
BSUV +
V
BS
电源欠压积极
门槛
V
BSUV-
V
BS
电源欠压负
门槛
V
CCUV +
V
CC
电源欠压积极
门槛
V
CCUV-
V
CC
电源欠压负
门槛
I
O+
I
O-
高输出短路脉冲
当前
低输出短路脉冲
当前
V
OUT
= 0V, V
IN
= V
DD
PW < = 10
s
V
OUT
= 15V, V
IN
= 0V
PW < = 10
s
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR2110E6
10 600V
图1.输入/输出时序图
图2.浮动电源电压暂态测试电路
( 0 600V )
HIN
LIN
50%
50%
tr
90%
吨关闭
90%
tf
HO
LO
图3.开关时间测试电路
10%
10%
图4.开关时间波形定义
HIN
LIN
50%
50%
SD
50%
LO
HO
10%
吨SD
MT
MT
90%
HO
LO
90%
LO
图5:关断波形定义
HO
图6.延迟匹配波形定义
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR2110E6
250
250
200
导通延迟时间(
导通延迟时间(
200
马克斯。
150
马克斯。
150
典型值。
100
典型值。
100
50
50
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
0
10
12
14
16
18
20
V
BIAS
电源电压( V)
图7A 。开启时间与温度的关系
图7B 。开启时间与电压
250
250
200
关断延迟时间(
关断延迟时间(
200
马克斯。
150
150
典型值。
100
马克斯。
典型值。
100
50
50
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
0
10
12
14
16
18
20
V
BIAS
电源电压( V)
图8A 。关断时间与温度的关系
图8B 。关断时间与电压
250
250
200
关断延迟时间
关断延迟时间
200
马克斯。
150
马克斯。
150
典型值。
100
典型值。
100
50
50
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
0
10
12
14
16
18
20
V
BIAS
电源电压( V)
如图9A所示。关断时间与温度的关系
如图9B所示。停机时间 - 电压
TO ORDER
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