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用户在读取操作之前，应该检测EEWE 。如果一个写操作
正在进行中，所以无法设置EERE位，也无法改变寄存器EEAR 。
标定的振荡器用于EEPROM定时。表25列出了典型
编程时间从CPU访问EEPROM 。
表25 。
EEPROM编程时间。
符号
EEPROM写（从
中央处理器）
校准数
RC振荡器周期
2048
最小编程
时间
1.9毫秒
马克斯编程
时间
3.8毫秒
防止EEPROM
腐败
在低V的时期
CC,
EEPROM中的数据可以被破坏，因为电源电压
年龄过低，CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是
一样使用EEPROM板级系统和相同的设计方案
应适用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况引起，当电压过高
低。首先，常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压，以
正确操作。其次， CPU本身可以当执行指令不正确，
电源电压用于执行指令的太低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过以下设计recommen-
dations （一个就足够了） ：
1.保持在电力不足的支持时期AVR RESET信号（低）
层的电压。这可以通过使能芯片的掉电检测器来完成
（BOD）如果工作电压的检测电平相匹配。如果没有，外部
低V
CC
复位保护电路都可以使用。如果发生了复位，而写
操作正在进行中，写操作将被完成的条件是
电源为电压是足够的。
2.保持AVR内核处于掉电休眠模式下的低V时期
CC
.
这将防止CPU解码并执行指令
系统蒸发散，有效地保护了EEPROM寄存器被无意识。
3.存储常量在闪存中，如果有能力改变存储器的内容
从软件不是必需的。闪速存储器不能由CPU进行更新
除非Boot Loader软件支持写入闪存和引导
锁定位配置，以便从CPU写入Flash存储器
允许的。请参阅“支持引导装入程序”的详细信息， 177页。
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ATmega323(L)
1457G–AVR–09/03
